时间：2025/9/14 11:33:27
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BUK9M17-30EX是一款由NXP Semiconductors生产的高性能功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率功率转换应用。这款MOSFET采用了先进的Trench沟槽技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和优异的热性能，能够在高温和高负载条件下稳定工作。BUK9M17-30EX采用无铅封装技术，符合RoHS环保标准。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
最大漏极电流（ID）：170A（在25°C）
导通电阻（RDS(on)）：3.7mΩ（最大值，VGS=10V）
功率耗散（PD）：160W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：PowerSO-10
BUK9M17-30EX具备多项优异特性，首先其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了整体系统的效率。这在高电流应用如DC-DC转换器、电机控制和电池管理系统中尤为重要。
其次，该器件采用了先进的Trench沟槽技术，使导通电阻与栅极电荷（Qg）之间达到最佳平衡，从而减少了开关损耗，提高了动态性能。此外，其高栅极电压容限（±20V）增强了抗过压和噪声干扰的能力，提高了系统的可靠性。
BUK9M17-30EX的封装设计优化了散热性能，使其能够在高温环境下稳定运行。PowerSO-10封装不仅提供了良好的热管理，还具有紧凑的尺寸，适合空间受限的设计应用。
该MOSFET的制造工艺符合严格的AEC-Q101汽车级认证标准，适用于汽车电子系统等对可靠性要求极高的场景。其无铅封装也符合环保要求，适用于绿色电子产品设计。
BUK9M17-30EX广泛应用于多个高功率和高效率需求的电子系统中，包括但不限于汽车电子、工业电机控制、DC-DC转换器、电源管理系统、负载开关以及高功率密度电源模块。
在汽车电子领域，该器件可用于车载充电系统、电动助力转向系统（EPS）、电池管理系统（BMS）以及车载逆变器。其高可靠性和高温耐受能力使其成为汽车环境中的理想选择。
在工业应用中，BUK9M17-30EX可用于高性能电机驱动、工业自动化控制电路、高功率LED照明系统以及不间断电源（UPS）等关键模块。
此外，由于其低导通电阻和优异的热管理能力，该器件也广泛应用于需要高效能功率转换的消费类电子产品中，如高性能电源适配器、智能电源插座以及便携式大功率设备的电池管理系统。
SiR178DP, Infineon BSC017N04LS, ON Semiconductor FDP170N30F
