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HM628100LTTI-5SL 发布时间 时间:2025/9/7 6:44:25 查看 阅读:24

HM628100LTTI-5SL是一款高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片,由HITACHI(现为Renesas Electronics)制造。这款SRAM芯片具有高速访问时间、低功耗设计以及广泛的工作温度范围,适用于工业控制、通信设备、嵌入式系统等对性能和稳定性要求较高的应用场合。该芯片采用CMOS工艺制造,具备良好的抗干扰能力,能够在恶劣环境中稳定运行。

参数

存储容量:128K x 8 位
  访问时间:55ns(最大)
  电源电压:3.3V ± 0.3V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:TSOP(Thin Small Outline Package)
  封装引脚数:54
  最大工作频率:约18MHz
  输入/输出接口:三态CMOS
  功耗(典型值):100mA(待机模式下低于10mA)

特性

HM628100LTTI-5SL是一款高性能SRAM芯片,具备高速访问能力和低功耗特性。其访问时间为55ns,支持快速的数据读写操作,适用于需要快速响应的系统。芯片采用低电压设计(3.3V),有助于降低功耗并提高系统稳定性。该芯片支持工业级温度范围(-40°C至+85°C),可在各种恶劣环境下稳定运行,适用于工业自动化、通信设备、网络设备等对可靠性要求较高的应用场合。
  此外,HM628100LTTI-5SL具有三态输出控制功能,能够有效减少总线干扰,提高系统的兼容性和扩展性。其TSOP封装形式有助于减小PCB面积,提升系统集成度。该芯片还具备自动低功耗模式(待机模式),在不使用时可大幅降低功耗,延长设备续航时间。
  由于其高速、低功耗和宽温特性,该芯片广泛应用于嵌入式系统、工业控制、医疗设备、汽车电子等对性能和可靠性要求较高的领域。

应用

HM628100LTTI-5SL SRAM芯片适用于多种高性能嵌入式系统和工业设备,如工业控制面板、数据采集系统、通信路由器、交换机、测试仪器、医疗监测设备以及汽车电子控制系统等。其高速访问时间和低功耗设计也使其适用于需要频繁数据读写的应用场景。

替代型号

CY62148EVLL-45ZXC、IS62WV5128ALLBLL-55MLI、IDT71V433S12PHB8、AS7C34098A-10TC、MCM62V1810ECG-6A

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