时间：2025/9/14 11:40:35
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BUK9M10-30EX是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的高性能功率MOSFET晶体管。该器件采用先进的Trench技术，具有极低的导通电阻和优良的热性能，适用于高效率、高功率密度的电源转换系统。该MOSFET具有高电流处理能力和低开关损耗，适用于DC-DC转换器、同步整流、负载开关、电机控制以及电源管理应用。其封装形式为DPAK（TO-252）表面贴装封装，便于散热和自动化生产。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：100A（在Tc=25°C）
导通电阻（RDS(on)）：1.0mΩ（典型值）
功耗（Ptot）：130W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装：DPAK（TO-252）
BUK9M10-30EX具有极低的导通电阻（RDS(on)），这使得在高电流应用中能够显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用先进的Trench工艺，优化了电场分布，提高了器件的稳定性和可靠性。此外，其高栅极电荷（Qg）设计确保了快速开关性能，降低了开关损耗，从而提高了整体能效。该MOSFET的热性能优异，能够在高功率应用中保持较低的结温，延长使用寿命。
该器件还具备出色的短路耐受能力和雪崩能量耐受能力，增强了其在恶劣工作环境下的稳定性。由于其高电流处理能力，BUK9M10-30EX适用于需要高功率密度和高效率的设计，例如服务器电源、电动工具、电池管理系统（BMS）和工业电机控制。
此外，BUK9M10-30EX的DPAK封装形式支持表面贴装工艺，有利于自动化生产和高密度PCB布局。其封装设计优化了散热性能，有助于将热量从芯片传导到PCB，从而提高系统的整体热稳定性。
BUK9M10-30EX广泛应用于多种高功率电子系统中，包括DC-DC降压和升压转换器、同步整流电路、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、不间断电源（UPS）、电动工具和工业自动化设备。此外，它也适用于需要高电流和低导通损耗的负载开关和电源管理模块。在服务器和数据中心电源系统中，该MOSFET因其高效率和高可靠性而受到青睐。
IPB10N30NFD、IRF1010Z、SiS436DY、FDMS86101
