BUK9K13-60E 是一款由安森美(onsemi)推出的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用TO-220封装,适用于各种开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等高效率应用场合。其主要特点包括低导通电阻、快速开关速度和高电流处理能力。
BUK9K13-60E 的最大漏源电压为60V,能够满足大多数中低压应用场景的需求。同时,它具有较低的栅极电荷,有助于减少开关损耗,从而提升整体系统效率。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:48A
导通电阻:7mΩ
栅极电荷:26nC
工作结温范围:-55℃至+175℃
1. 低导通电阻设计使得该MOSFET在大电流应用中表现出色,能显著降低导通损耗。
2. 快速开关速度,支持高频操作,适合现代高效能开关电源设计。
3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的耐用性和可靠性。
4. 良好的热性能,便于散热设计,尤其在长时间高负载运行时可保持稳定。
5. TO-220封装形式方便安装与焊接,广泛兼容各类电路板布局。
BUK9K13-60E 常用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS),如AC-DC适配器和充电器。
2. DC-DC转换器及逆变器中的功率开关。
3. 各类电机驱动和控制电路,例如无刷直流电机(BLDC)控制器。
4. 工业自动化设备中的负载切换与保护电路。
5. 汽车电子中的电池管理系统和车载充电器。
IRFZ44N
STP55NF06L
FDP5500