类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（Id）：15A
　　漏极-源极击穿电压（Vds）：100V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：22.5mΩ（最大）
　　功率耗散（Pd）：80W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）
　　栅极电荷（Qg）：26nC
　　输入电容（Ciss）：1180pF
　　反向恢复时间（trr）：28ns

R6000225XXYA MOSFET具备多项优良特性，首先其采用先进的沟槽式结构，有效降低了导通电阻，提高了器件的导电效率。在100V的漏极-源极电压下，该器件的导通电阻仅为22.5mΩ，这使得在高电流条件下仍能保持较低的导通损耗，从而提高整体电源系统的效率。
　　其次，R6000225XXYA的栅极电荷（Qg）为26nC，输入电容（Ciss）为1180pF，这些参数表明该器件在高频开关应用中具有较低的驱动损耗，适合用于高频率的DC-DC转换器设计。此外，其反向恢复时间（trr）为28ns，具有较快的开关速度，有助于减少开关损耗并提高系统效率。
　　该器件采用TO-252（DPAK）封装，具有良好的散热性能，可在较高功率下稳定运行。同时，其额定漏极电流为15A，适用于中高功率电源应用。R6000225XXYA还具备良好的热稳定性和可靠性，能够在-55°C至150°C的宽温度范围内稳定工作，适用于严苛的工业环境。
　　此外，该MOSFET的栅极-源极电压范围为±20V，具有较高的驱动兼容性，能够与多种控制IC配合使用。其80W的功率耗散能力也使得在高温环境下仍能保持较好的工作稳定性。

R6000225XXYA MOSFET广泛应用于各种电源管理与转换设备中，例如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备以及服务器电源模块等。在DC-DC转换器中，该器件可作为主开关或同步整流开关，实现高效率的能量转换。由于其低导通电阻和快速开关特性，特别适用于高频开关电源设计，有助于减少功率损耗并提高系统效率。
　　此外，R6000225XXYA还可用于电池供电设备中的负载开关控制，例如便携式电子设备、电动工具和储能系统。其高耐压特性使其适用于12V至48V系统的电源管理应用，包括服务器、通信设备和工业控制设备的电源模块。在电机控制、照明系统以及UPS（不间断电源）等应用中，该MOSFET也表现出优异的性能和可靠性。

SiR142DP-T1-GE、FDMS86180、IPD90N10S4-03