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BUK9D23-40EX 发布时间 时间:2025/9/14 19:58:17 查看 阅读:7

BUK9D23-40EX 是一款由 Nexperia(安世半导体)推出的高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET,广泛用于电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的 Trench MOSFET 技术,具有低导通电阻、高效率和高可靠性的特点。BUK9D23-40EX 通常用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制、电池管理系统以及各种电源管理设备中。

参数

类型:N 沟道
  最大漏极电流(ID):120A
  最大漏极-源极电压(VDS):40V
  最大栅极-源极电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):4.2mΩ(典型值)
  功率耗散(PD):150W
  工作温度范围:-55°C 至 175°C
  封装类型:TO-220AB

特性

BUK9D23-40EX 以其卓越的性能和可靠性成为许多功率应用的理想选择。其核心特性之一是低导通电阻 RDS(on),典型值仅为 4.2mΩ,这显著降低了导通损耗,提高了能效。该器件的最大漏极电流可达 120A,能够在高负载条件下稳定运行。
  此外,BUK9D23-40EX 的最大漏极-源极电压为 40V,适用于中等电压功率转换场景,如同步整流、DC-DC 转换器等。其栅极-源极电压耐受范围为 ±20V,支持多种驱动电路设计,增强了应用的灵活性。
  在热管理方面,该器件的功率耗散为 150W,具备良好的散热能力,确保在高功耗环境下仍能保持稳定工作。工作温度范围从 -55°C 到 175°C,适合在严苛的工业和汽车环境中使用。
  封装形式为 TO-220AB,这是一种广泛使用的标准封装,便于安装和散热设计。TO-220AB 封装具有良好的机械稳定性和热传导性能,适合在多种 PCB 设计中使用。
  总的来说,BUK9D23-40EX 凭借其低导通电阻、高电流能力、优良的热性能和广泛的工作温度范围,成为高性能功率 MOSFET 的优选之一。

应用

BUK9D23-40EX 主要用于以下类型的应用:DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动、电池管理系统、工业电源、服务器电源、电信设备电源以及汽车电子系统。其高电流能力和低导通电阻使其特别适合用于高效率的电源转换和控制电路中。

替代型号

BUK9K54-40E, BUK9K64-40E, BUK9D35-40EX

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BUK9D23-40EX参数

  • 现有数量8,133现货
  • 价格1 : ¥3.34000剪切带(CT)3,000 : ¥1.17481卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)8A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)23 毫欧 @ 8A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)17 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±15V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)637 pF @ 20 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)15W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装DFN2020MD-6
  • 封装/外壳6-UDFN 裸露焊盘