TFC-110-01-L-D 是一款高性能的薄膜电容器,专为高频和射频应用设计。该型号采用金属化聚丙烯膜作为介质,具有低等效串联电阻(ESR)和低损耗角正切值(tanδ),能够在高频率下保持稳定的性能。
这种电容器广泛应用于电源滤波、谐振电路以及射频通信设备中,其结构设计使其具备较高的耐压能力和优良的温度稳定性。
容量范围:0.1μF至2.2μF
额定电压:50VDC至500VDC
工作温度范围:-55℃至+105℃
绝缘电阻:≥500MΩ
损耗因数(tanδ):≤0.0005
封装形式:径向引脚
尺寸:直径8mm×长度16mm
TFC-110-01-L-D 的主要特点是其在高频条件下表现出色,能够有效减少信号损失并提供更高的效率。此外,它还具有以下优势:
1. 采用先进的金属化技术,确保产品具备长寿命和高可靠性。
2. 高温环境下性能稳定,适用于恶劣的工作条件。
3. 自愈性设计,即使发生局部击穿也能自动修复,延长使用寿命。
4. 小型化设计,便于安装在紧凑型电路板上。
5. 符合RoHS标准,环保无铅材料使用,满足国际法规要求。
TFC-110-01-L-D 主要应用于需要高频滤波或耦合功能的场合,包括但不限于以下领域:
1. 开关电源中的输入输出滤波器。
2. 射频通信设备如基站、路由器及无线模块。
3. 音频设备中的高频旁路电容。
4. 工业控制设备中的谐振电路元件。
5. 医疗电子设备中的高频信号处理部分。
由于其出色的电气性能和环境适应能力,这款电容器成为许多高精度应用的理想选择。
TFC-110-02-L-D
TFC-110-01-S-D
TEC-110-01-L-D