BUK9830-30是一款由NXP Semiconductors(恩智浦半导体)制造的高性能N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用先进的TrenchMOS技术,适用于高效率功率转换应用。该器件具有低导通电阻(Rds(on))、高电流容量和优异的热稳定性,广泛用于DC-DC转换器、电源管理和负载开关等场景。
类型:N沟道
最大漏极电压(VDSS):30V
最大栅极-源极电压(VGSS):±20V
最大连续漏极电流(ID):60A
最大功耗(PD):125W
导通电阻(Rds(on)):8.5mΩ @ VGS=10V
工作温度范围:-55°C ~ +175°C
封装类型:TO-220
BUK9830-30采用了NXP的TrenchMOS技术,使得该MOSFET在导通状态下具有极低的导通电阻(Rds(on)),从而显著降低导通损耗,提高系统效率。其8.5mΩ的Rds(on)值在同类产品中表现优异,有助于在高电流应用中保持较低的温升,提高整体系统的稳定性与可靠性。
该器件的最大漏极电压为30V,最大连续漏极电流可达60A,适用于中高功率应用,如服务器电源、工业控制、电机驱动和电池充电系统。此外,其最大功耗为125W,具备良好的热管理能力,能够在较高环境温度下稳定运行。
栅极-源极电压最大为±20V,确保了器件在各种驱动条件下不会因过压而损坏,提升了抗干扰能力和安全性。该MOSFET具有宽泛的工作温度范围(-55°C至+175°C),适用于严苛环境下的工业和汽车电子应用。
封装方面,BUK9830-30采用标准的TO-220封装形式,便于安装和散热设计,适合通孔插装(Through-Hole)工艺,广泛应用于各类电源系统和功率模块。
BUK9830-30因其高性能特性,广泛应用于多种功率电子系统中。常见的应用包括:开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、同步整流器、电机控制器、负载开关、电池管理系统(BMS)以及工业自动化设备中的功率控制模块。此外,由于其良好的导热性和高电流承载能力,也适合用于需要高效能和高可靠性的车载电子系统和新能源设备中。
IRFZ44N, FDP6030L, IPD60R3K3PFD, SiR862ADP