时间：2025/8/15 4:33:05
阅读：22
UF1600FCT是一款由Vishay Semiconductors生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率、高频率开关应用而设计，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、负载开关以及电池管理系统等领域。UF1600FCT采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻（RDS(on)）、高电流能力和优异的热稳定性。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：160A
最大漏源电压（VDS）：100V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大4.75mΩ（在VGS=10V时）
栅极电荷（Qg）：典型值80nC
输入电容（Ciss）：典型值3000pF
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：D2PAK（TO-263）
UF1600FCT具备多项优异的电气和热性能特性。其低导通电阻RDS(on)显著降低了导通损耗，提高了系统效率，适用于高功率密度设计。器件的高电流承载能力（160A）使其能够在高负载条件下稳定工作。
该MOSFET采用先进的沟槽结构技术，优化了电场分布，提高了器件的耐压能力和可靠性。此外，UF1600FCT的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，在高频开关应用中表现出色。
封装方面，D2PAK（TO-263）封装具备良好的散热性能，有助于将工作时产生的热量快速散发，从而提升器件在高功率应用中的稳定性与寿命。该器件还具有较高的抗雪崩能力，能够在瞬态过压条件下保持稳定运行，增强了系统的可靠性。
UF1600FCT的栅源电压范围为±20V，支持在宽电压范围内稳定工作，并具有较强的抗过压能力。其输入电容（Ciss）较低，有助于减少驱动电路的负担，提高整体系统的响应速度和效率。
UF1600FCT广泛应用于各类功率电子系统中，尤其适用于需要高效率、高电流和高频率工作的场合。例如，在DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、负载开关、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中均有广泛应用。
在电源管理领域，UF1600FCT可用于构建高效能的同步降压或升压转换电路，显著提升电源转换效率并减少发热。在电机控制应用中，其高电流承载能力和低导通损耗使其成为高性能H桥驱动电路的理想选择。
此外，UF1600FCT也适用于高功率电池供电系统，如电动工具、储能系统和不间断电源（UPS）等，能够有效延长电池使用时间和系统运行稳定性。
SiHF160N10T, IPB160N10N3, FDP160N10
