时间：2025/9/14 11:58:24
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BUK963R3-60E,118 是由NXP（恩智浦）半导体公司生产的一款高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的Trench沟槽技术制造，具有极低的导通电阻（Rds(on)），适用于高效率电源管理系统和负载开关应用。其封装形式为D2PAK，便于散热并适用于高功率密度的设计需求。该MOSFET的工作电压最大可达60V，连续漏极电流能力高达250A，是一款适用于工业控制、电源适配器、电动工具和汽车电子等多种领域的高性能功率器件。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电压(Vds)：60V
最大栅极电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：250A
导通电阻(Rds(on))：3.3mΩ（典型值）
功率耗散(Pd)：320W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：D2PAK
BUK963R3-60E,118具备多项优异特性，使其在高功率和高效率应用场景中表现出色。
首先，该MOSFET采用先进的沟槽（Trench）技术，实现了极低的导通电阻（Rds(on)）典型值仅为3.3mΩ，有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。在高电流应用中，这种低Rds(on)可以显著减少发热，提高系统的可靠性和稳定性。
其次，该器件具有高达250A的连续漏极电流能力，适用于高负载功率场景，如电动工具、DC-DC转换器、马达控制和高功率负载开关等。其最大漏极电压为60V，适用于常见的中高压电源系统，如工业自动化设备、服务器电源、UPS系统等。
此外，该MOSFET采用了D2PAK封装，具有良好的热管理能力，有助于在高功耗应用中保持较低的工作温度。这种封装形式还支持表面贴装（SMT）工艺，适用于自动化生产流程，提高生产效率和产品一致性。
该器件的栅极电压范围为±20V，支持常见的驱动电路设计，兼容多种栅极驱动IC。其工作温度范围为-55°C至+175°C，适用于各种严苛环境条件，如高温工业环境或汽车电子中的极端温度情况。
综合来看，BUK963R3-60E,118是一款性能优异、可靠性高的功率MOSFET，适用于广泛的应用领域，能够满足高效率、高可靠性和高功率密度的设计需求。
BUK963R3-60E,118因其高电流能力、低导通电阻和优异的热性能，被广泛应用于多个领域。在工业控制方面，它适用于PLC、伺服驱动器、变频器、电源适配器及DC-DC转换器等设备，用于高效能功率开关和负载管理。
在汽车电子领域，该MOSFET可用于电动助力转向系统（EPS）、电动空调压缩机、车载充电器（OBC）以及电池管理系统（BMS）等关键部件，提供稳定可靠的功率控制能力。
此外，该器件也适用于高功率电源设备，如不间断电源（UPS）、储能系统、光伏逆变器以及高功率LED照明驱动电路，满足对效率和散热要求较高的应用场景。
由于其优异的导通特性和高电流承载能力，BUK963R3-60E,118也可用于高性能电动工具、机器人电机驱动以及高功率负载开关电路中，提供高效、稳定的功率控制解决方案。
STP250N6F6AG, IRF3710, SiS828DN, IPB06N04P4, IXYS IXTP250N60B2
