GA0805H272MXBBC31G 是一款由三星(Samsung)生产的NAND闪存芯片,采用MLC(多层单元)技术。该芯片主要用于大容量数据存储设备中,如固态硬盘(SSD)、USB闪存盘和嵌入式存储解决方案。其设计注重高密度存储和低功耗,适合消费电子和工业应用。
存储容量:8GB
存储类型:NAND Flash
接口类型:Toggle DDR 2.0
工作电压:1.8V
封装形式:BGA
引脚数:169
数据传输速率:400MB/s
擦写次数:3000次
工作温度范围:-40℃ 至 +85℃
GA0805H272MXBBC31G 具有以下显著特点:
1. 高存储密度:单颗芯片即可提供8GB的存储容量。
2. 快速数据传输:支持Toggle DDR 2.0接口,理论最高速度可达400MB/s。
3. 低功耗设计:优化了读写操作中的能耗表现,延长设备电池寿命。
4. 稳定性:经过严格测试,在极端温度条件下仍能保持正常工作。
5. 广泛兼容性:适用于各种主流主控芯片,便于集成到不同的存储产品中。
该芯片主要应用于以下领域:
1. 固态硬盘(SSD)
2. USB闪存盘(U盘)
3. 嵌入式系统存储
4. 智能家居设备
5. 工业控制与监控设备
6. 消费类电子产品如平板电脑和智能手机的外置存储扩展
K9WBG08U1M-SCK0, GA0805H272MXBBC30F