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GA0805H272MXBBC31G 发布时间 时间:2025/6/4 10:57:18 查看 阅读:6

GA0805H272MXBBC31G 是一款由三星(Samsung)生产的NAND闪存芯片,采用MLC(多层单元)技术。该芯片主要用于大容量数据存储设备中,如固态硬盘(SSD)、USB闪存盘和嵌入式存储解决方案。其设计注重高密度存储和低功耗,适合消费电子和工业应用。

参数

存储容量:8GB
  存储类型:NAND Flash
  接口类型:Toggle DDR 2.0
  工作电压:1.8V
  封装形式:BGA
  引脚数:169
  数据传输速率:400MB/s
  擦写次数:3000次
  工作温度范围:-40℃ 至 +85℃

特性

GA0805H272MXBBC31G 具有以下显著特点:
  1. 高存储密度:单颗芯片即可提供8GB的存储容量。
  2. 快速数据传输:支持Toggle DDR 2.0接口,理论最高速度可达400MB/s。
  3. 低功耗设计:优化了读写操作中的能耗表现,延长设备电池寿命。
  4. 稳定性:经过严格测试,在极端温度条件下仍能保持正常工作。
  5. 广泛兼容性:适用于各种主流主控芯片,便于集成到不同的存储产品中。

应用

该芯片主要应用于以下领域:
  1. 固态硬盘(SSD)
  2. USB闪存盘(U盘)
  3. 嵌入式系统存储
  4. 智能家居设备
  5. 工业控制与监控设备
  6. 消费类电子产品如平板电脑和智能手机的外置存储扩展

替代型号

K9WBG08U1M-SCK0, GA0805H272MXBBC30F

GA0805H272MXBBC31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容2700 pF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数X8R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-