时间：2025/6/4 10:57:18
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GA0805H272MXBBC31G 是一款由三星（Samsung）生产的NAND闪存芯片，采用MLC（多层单元）技术。该芯片主要用于大容量数据存储设备中，如固态硬盘（SSD）、USB闪存盘和嵌入式存储解决方案。其设计注重高密度存储和低功耗，适合消费电子和工业应用。
存储容量：8GB
存储类型：NAND Flash
接口类型：Toggle DDR 2.0
工作电压：1.8V
封装形式：BGA
引脚数：169
数据传输速率：400MB/s
擦写次数：3000次
工作温度范围：-40℃ 至 +85℃
GA0805H272MXBBC31G 具有以下显著特点：
1. 高存储密度：单颗芯片即可提供8GB的存储容量。
2. 快速数据传输：支持Toggle DDR 2.0接口，理论最高速度可达400MB/s。
3. 低功耗设计：优化了读写操作中的能耗表现，延长设备电池寿命。
4. 稳定性：经过严格测试，在极端温度条件下仍能保持正常工作。
5. 广泛兼容性：适用于各种主流主控芯片，便于集成到不同的存储产品中。
该芯片主要应用于以下领域：
1. 固态硬盘（SSD）
2. USB闪存盘（U盘）
3. 嵌入式系统存储
4. 智能家居设备
5. 工业控制与监控设备
6. 消费类电子产品如平板电脑和智能手机的外置存储扩展
K9WBG08U1M-SCK0, GA0805H272MXBBC30F
