类型：光电晶体管输出光耦
　　通道数：1
　　输入正向电流（IF）：50 mA
　　峰值输入电流：1 A
　　反向输入电压（VR）：6 V
　　输出耐压（VCEO）：300 V
　　集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）：300 mV（典型值）
　　电流传输比（CTR）：20%～600%
　　工作温度范围：-55°C 至 +100°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　隔离电压（Viso）：5000 VRMS（1分钟）
　　上升时间/下降时间：3 μs / 15 μs
　　封装形式：6-DIP（双列直插）

4N45#300光耦合器的核心特性之一是其高输出耐压能力，集电极-发射极电压可承受高达300V，这使得它非常适合用于驱动继电器、可控硅（SCR）或三端双向可控硅（TRIAC）等高压负载的接口电路中。这一特性使其在交流电源控制、电机控制和工业自动化系统中表现出色。
　　其次，该器件具有较宽的工作温度范围（-55°C至+100°C），保证了其在恶劣环境下的稳定运行，适用于工业级和军用级设备。同时，其隔离电压达到5000VRMS，提供了出色的电气隔离性能，能有效防止高压侧对低压控制电路的干扰或损坏，提升系统的安全性和抗干扰能力。
　　电流传输比（CTR）是衡量光耦效率的重要参数，4N45的CTR范围为20%到600%，意味着在输入LED电流为一定值时，输出光电晶体管可以获得相应的集电极电流。尽管该范围较宽，但在实际应用中需注意CTR随时间和温度的变化，尤其是在高温或长时间工作条件下可能出现衰减，影响信号传输的一致性。
　　响应时间方面，4N45的上升时间为3μs，下降时间为15μs，属于中低速光耦范畴。因此，虽然它可以胜任一般的开关信号隔离任务，但不推荐用于高频PWM控制或高速通信线路（如UART高于9600bps时需谨慎使用）。
　　封装采用标准6引脚DIP形式，便于手工焊接和PCB布局，同时也兼容自动插件机和回流焊工艺。引脚配置支持基极引出（第6脚），用户可根据需要连接外部电阻以改善开关速度或稳定性。总体而言，4N45#300是一款成熟可靠、性价比高的通用型光耦，适用于对速度要求不高但对隔离性能有较高需求的应用场景。

4N45#300常用于实现输入与输出之间的电气隔离，在多种电子系统中发挥关键作用。其典型应用包括开关电源中的反馈控制回路，用于将次级侧的电压调节信号传递到初级侧控制器，同时保持高低压之间的绝缘。这种应用可以提高电源的安全性和稳定性，避免因直接电气连接导致的故障传播。
　　在工业控制系统中，4N45被广泛用于PLC（可编程逻辑控制器）的输入/输出模块，用于隔离现场传感器或执行器与内部逻辑电路。例如，在检测按钮、限位开关状态时，通过光耦可有效抑制工业现场的电磁干扰和瞬态电压冲击，提升系统可靠性。
　　此外，该器件也常用于交流电机驱动电路或固态继电器（SSR）中，作为触发三端双向可控硅或晶闸管的隔离驱动元件。其高达300V的输出耐压能力足以满足大多数市电控制需求，且无需额外的驱动晶体管即可直接驱动小型负载。
　　在通信接口中，如RS-232、RS-485等长距离传输系统中，4N45可用于隔离地线环路，防止不同设备间的电位差造成损坏。虽然其速度限制了在高速通信中的使用，但对于低速控制信号仍具有良好的适用性。
　　其他应用场景还包括医疗设备中的信号隔离、测试仪器中的通道隔离、电池管理系统（BMS）中的状态监测信号传输等。由于其结构简单、成本低廉且易于使用，4N45#300至今仍在许多传统设计中被沿用。

4N44, 4N46, TLP521-1, PC817, MOC8101