时间：2025/9/14 12:29:31
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BUK961R6-40E,118是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的高性能N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于各种电源管理和功率转换应用。该器件具有低导通电阻、高效率和出色的热稳定性，适用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及电源管理系统。BUK961R6-40E,118采用TISON（Thin Small Outline No-lead）封装，具有较小的封装尺寸，适用于空间受限的设计。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：40V
连续漏极电流（Id）：30A（在Tc=25°C）
导通电阻（Rds(on)）：1.6mΩ（最大值）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：1V~2.5V
功率耗散（Ptot）：80W
工作温度范围：-55°C~175°C
封装类型：TISON
BUK961R6-40E,118具备一系列优异的电气和热性能，适用于高效率电源系统设计。其低导通电阻（Rds(on)）可有效降低导通损耗，提高整体能效。由于其在高电流下的低电压降，该器件可减少散热需求，从而降低系统成本。此外，该MOSFET具有快速开关特性，适用于高频操作，进一步提升转换效率。TISON无引脚封装提供了优异的热管理性能，有助于快速散热，确保在高负载条件下的稳定性。该器件还具备高耐用性和出色的短路耐受能力，使其在苛刻环境中依然可靠运行。此外，BUK961R6-40E,118的栅极驱动电压范围较宽，支持与多种控制器和驱动器的兼容性，提高了设计灵活性。
该MOSFET广泛应用于多种电源管理场合，如同步整流DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机控制电路、服务器电源、工业自动化设备和消费类电子产品中的功率管理模块。此外，它也可用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）以及车身控制模块等。
IRF3205, STB40NF03L, FDS6680, Si4410DY
