2SK1087 时间：2025/8/9 15:22:54 阅读：23

2SK1087是一款N沟道功率MOSFET，广泛用于高频开关电源、DC-DC转换器和电机控制等应用中。这款MOSFET具有低导通电阻、高耐压和高电流处理能力，适用于需要高效率和高性能的电子系统。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：50A
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大35mΩ（在VGS=10V时）
　　工作温度范围：-55℃至+150℃
　　封装形式：TO-220、TO-263（D2PAK）等

特性

2SK1087的主要特性包括低导通电阻（RDS(on)），这有助于降低导通损耗并提高效率；高耐压能力（60V）使其适用于多种电源管理应用；能够承受高达50A的漏极电流，适合高功率需求的电路。此外，该器件具有良好的热稳定性，能够在恶劣的环境条件下可靠工作。采用TO-220或TO-263等封装形式，便于散热和安装。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围为±20V，通常在10V驱动电压下可实现最佳性能。其快速开关特性减少了开关损耗，适用于高频操作。此外，2SK1087具有良好的短路耐受能力，增强了系统的可靠性和安全性。由于其高性能和多功能性，2SK1087被广泛用于工业控制、汽车电子、消费类电源设备等领域。

应用

2SK1087常用于各类电源转换系统，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器和电池管理系统。它也适用于需要高效能和高可靠性的工业自动化设备、UPS（不间断电源）、逆变器以及LED照明驱动电路。此外，在汽车电子中，该MOSFET可用于车载充电器、电动工具和电机控制模块等应用。
　　具体来说，2SK1087适合用作高边或低边开关，在同步整流器和H桥电路中表现优异。其高效率和低导通电阻使其成为需要最小能量损耗的设计的理想选择。同时，该器件的广泛适用性和成熟的技术使其成为许多工程师在设计高性能电源系统时的首选。