H5TC1G83EFR-PBAR 时间：2025/9/1 21:13:45 阅读：8

H5TC1G83EFR-PBAR是一款由SK海力士（SK Hynix）生产的1Gbit容量的DRAM芯片，属于高速移动低压动态随机存取存储器（mMobile LPDRAM）系列，适用于低功耗、高性能的便携式电子设备。这款DRAM芯片采用FBGA封装形式，具有较高的集成度和较低的功耗，适用于各种需要高速数据存储的嵌入式系统。

参数

容量：1Gbit
　　组织结构：16M x 8
　　封装类型：FBGA
　　引脚数量：54
　　电压范围：1.7V - 3.6V
　　访问时间：5.4ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　数据保持电压：1.5V
　　最大工作频率：166MHz
　　JEDEC标准：符合

特性

H5TC1G83EFR-PBAR具备出色的低功耗性能，适用于电池供电设备，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备等。其移动低压设计（Mobile Low Power）有助于延长设备的电池续航时间。此外，该芯片还具备高速数据访问能力，最大访问频率可达166MHz，能够满足嵌入式系统对快速数据处理的需求。
　　该DRAM芯片采用CMOS工艺制造，具有良好的热稳定性和抗干扰能力，适用于各种苛刻的工作环境。其封装形式为54引脚FBGA，体积小巧，便于在空间受限的设计中使用。同时，该芯片符合JEDEC标准，便于替换和升级。
　　H5TC1G83EFR-PBAR的访问时间为5.4ns，支持快速的数据读写操作，适用于图像处理、多媒体应用和嵌入式系统的缓存需求。其低功耗模式支持多种省电功能，包括自刷新（Self-Refresh）和深度掉电模式（Deep Power-Down），可进一步降低系统能耗。

应用

H5TC1G83EFR-PBAR广泛应用于便携式电子产品，如智能手机、平板电脑和智能手表等，作为主存储器或缓存存储器使用。此外，该芯片也适用于工业控制设备、医疗设备、汽车电子系统和物联网（IoT）设备等对低功耗和高性能有较高要求的应用场景。其高速访问能力和低功耗特性使其成为嵌入式系统中理想的存储解决方案。