时间：2025/9/14 21:30:25
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BUK9616-75B 是由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用先进的TrenchMOS技术，适用于高效率电源转换系统。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流处理能力，适合用于DC-DC转换器、负载开关、电源管理模块等应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：75V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）@25°C：100A
导通电阻（Rds(on)）@Vgs=10V：4.5mΩ
导通电阻（Rds(on)）@Vgs=4.5V：7.2mΩ
功率耗散（Ptot）：200W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装形式：TO-263（D2PAK）
BUK9616-75B采用了恩智浦的TrenchMOS技术，提供极低的导通电阻，从而显著降低了导通损耗，提高了系统效率。该MOSFET在Vgs=10V时的典型Rds(on)仅为4.5mΩ，在Vgs=4.5V时也保持较低水平，为7.2mΩ，适合用于中低压电源转换应用。
其高电流能力可达100A，并且在高功率条件下仍能保持稳定工作。器件的封装为TO-263（D2PAK），具备良好的热性能和机械稳定性，便于散热设计并提高整体系统可靠性。
此外，BUK9616-75B的栅极驱动电压兼容标准逻辑电平（如5V控制），使其能够与多种控制器和驱动器配合使用，适用于同步整流、负载开关、电池管理系统（BMS）以及工业电源等应用。
该MOSFET还具备良好的雪崩能量耐受能力，提高了器件在异常工作条件下的稳定性与安全性。
BUK9616-75B广泛应用于各种高功率、高效率的电源系统中，包括但不限于DC-DC转换器、负载开关、电源管理单元、电池供电系统、服务器电源、工业控制系统、电机驱动器以及同步整流电路。其低导通电阻和高电流能力使其在需要高效能转换和低损耗的场合表现出色。
IRF1405, STP100N75F3, FDP100N75FS, SiR142DP
