类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：500V
　　最大漏极电流（ID）：9A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.55Ω（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：24nC（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220
　　功率耗散（PD）：125W
　　最大栅极电压（VGS）：±30V

GW5BYH50KKAM 是一款基于沟槽式技术的高性能 N 沟道 MOSFET，其主要特性体现在低导通电阻、高耐压能力和良好的热管理性能。该器件的导通电阻仅为 0.55Ω，在高温环境下依然能保持稳定的导通状态，从而有效降低导通损耗并提高系统效率。此外，其最大漏源电压（VDS）为 500V，具备良好的耐压能力，适用于高电压应用环境，如工业电源和变频器系统。
　　该 MOSFET 的栅极电荷（Qg）为 24nC，使得其在高频开关应用中表现出较低的开关损耗，从而提高整体系统的能效。其 TO-220 封装形式不仅具备良好的散热性能，还便于安装和维护，适合在高功率密度环境中使用。此外，该器件的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，具有较强的环境适应性，可在极端温度条件下稳定运行。
　　在可靠性方面，GW5BYH50KKAM 具备出色的短路和过载保护能力，能够在突发的电路异常情况下维持较长时间的稳定运行，降低系统故障率。同时，其 ±30V 的最大栅极电压容限增强了对栅极驱动电路的兼容性，使其适用于多种控制方案，如 PWM 控制器和数字电源管理芯片。

GW5BYH50KKAM 广泛应用于各种功率电子设备中，主要包括：工业电源、DC-DC 转换器、不间断电源（UPS）、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及智能电网设备等。由于其具备高耐压能力和低导通电阻，该 MOSFET 特别适合用于高效率电源转换系统，如服务器电源、LED 照明驱动器以及新能源汽车的充电模块。此外，其优异的热管理和可靠性特性也使其成为家电控制板、智能电表和自动化控制系统中的优选功率开关元件。

IXTP9P50P、FQA9N50、IRFQ50