时间：2025/9/14 4:40:21
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BUK9604-40A,118 是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的高性能MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效能功率应用设计。该器件采用先进的TrenchMOS技术，提供低导通电阻和高电流能力，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等应用。BUK9604-40A封装为TO-220，具有良好的热性能和机械稳定性。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：40A
漏极-源极击穿电压（VDS）：40V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大值为5.3mΩ（在VGS=10V时）
功率耗散（PD）：160W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：TO-220
BUK9604-40A,118 是一款高性能的N沟道MOSFET，采用先进的TrenchMOS技术，确保了低导通电阻和优异的开关性能。其最大导通电阻仅为5.3mΩ，在高电流条件下仍能保持较低的导通损耗，从而提高系统的整体效率。该器件的漏极电流额定值为40A，漏极-源极电压额定值为40V，适用于中高功率应用。此外，其±20V的栅极-源极电压额定值使其能够承受较高的驱动电压，确保栅极控制的稳定性。
该MOSFET的封装形式为TO-220，具有良好的散热性能和机械坚固性，适合在各种工业环境中使用。其工作温度范围为-55°C至175°C，表明其具备出色的热稳定性，能够在极端温度条件下可靠运行。这种特性使其非常适合用于需要高可靠性的应用，如汽车电子、工业自动化和电源管理系统。
此外，BUK9604-40A,118 的设计考虑了高能效和低电磁干扰（EMI）特性，有助于减少系统中的功率损耗和噪声干扰。其快速开关能力降低了开关损耗，提高了系统的动态响应能力。这种MOSFET还具有较低的栅极电荷，进一步提高了开关效率，降低了驱动电路的负担。
BUK9604-40A,118 主要应用于需要高效率和高可靠性的功率电子系统中。常见的应用包括电源管理单元、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器以及电池管理系统。此外，它还可用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统和车身控制模块。由于其良好的热稳定性和高电流能力，该器件也常用于工业自动化设备和高功率LED照明系统。
BUK9604-40E,118
