时间：2025/6/17 0:37:01
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CKG57NX7S1H226MT0S9W 是一款高性能的存储芯片，主要应用于工业级和企业级的数据存储解决方案。该芯片采用先进的 NAND Flash 技术，支持高容量数据存储和快速读写操作，具有低功耗、高可靠性和长寿命的特点。
此芯片广泛用于固态硬盘（SSD）、嵌入式系统、服务器存储以及需要高数据吞吐量的应用场景中。
容量：2TB
接口类型：PCIe NVMe
工作电压：3.3V
最大读取速度：3500 MB/s
最大写入速度：3000 MB/s
擦写次数：3000次
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装形式：BGA
I/O耐压：3.3V
CKG57NX7S1H226MT0S9W 使用了最新的 TLC（Triple-Level Cell）技术，提供更高的存储密度和性价比。同时内置 ECC（Error Correction Code）引擎以确保数据的准确性与完整性。其支持 LDPC（Low-Density Parity-Check）纠错算法，极大提高了在高强度使用环境下的稳定性。
此外，这款芯片还集成了智能电源管理单元，能够根据实际负载动态调整功耗，从而延长设备的使用寿命。并且支持多种高级功能，如 TRIM 命令优化、磨损均衡、坏块管理等，使其非常适合长时间运行的关键任务应用。
该芯片还具备强大的安全机制，包括 AES 256-bit 数据加密和 Secure Erase 功能，保障用户数据的安全性。
CKG57NX7S1H226MT0S9W 广泛应用于以下领域：
1. 工业级固态硬盘（SSD），满足严苛环境下对性能和可靠性的需求。
2. 企业级服务器存储，提供大容量高速数据存取能力。
3. 嵌入式计算平台，例如医疗设备、工业自动化控制和网络通信设备。
4. 高端消费电子产品，如高端笔记本电脑和游戏主机。
5. 物联网终端节点中的本地数据缓存和存储模块。
CKG57NX7S1H226MT1S9W
CKG57NX7S1H226MT2S9W
CKG57NX7S1H226MT3S9W
