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BUK954R8-60E 发布时间 时间:2025/3/20 9:33:22 查看 阅读:13

BUK954R8-60E 是一款由英飞凌(Infineon)生产的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件属于 OptiMOS 系列,专为高效率和高性能的应用场景设计。其额定电压为 60V,适用于广泛的工业和消费类电子应用,包括开关电源、电机驱动和负载切换等。
  OptiMOS 技术使得该 MOSFET 在导通电阻、开关速度以及热性能方面表现出色,从而能够有效降低功率损耗并提高整体系统效率。这款器件采用 TO-263-3 封装形式,具备出色的散热能力和坚固耐用的机械特性。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅极源极电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):27A(@25°C)
  导通电阻(Rds(on)):3.8mΩ(典型值,@Vgs=10V)
  总栅极电荷(Qg):57nC(典型值)
  输入电容(Ciss):2950pF(典型值)
  开关时间:ton=18ns(典型值),toff=32ns(典型值)
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C

特性

1. 超低导通电阻(Rds(on)):BUK954R8-60E 的导通电阻仅为 3.8mΩ(典型值),能够在高电流应用中显著降低传导损耗,提升效率。
  2. 高效开关性能:该器件具有非常低的总栅极电荷(Qg),可以实现快速开关,从而减少开关损耗,并适合高频应用场景。
  3. 强大的热性能:得益于其 TO-263-3 封装,BUK954R8-60E 提供了良好的散热能力,即使在高功率条件下也能保持稳定运行。
  4. 广泛的工作温度范围:该 MOSFET 支持从 -55°C 到 +175°C 的宽温范围,非常适合各种严苛环境下的应用。
  5. 坚固耐用的设计:器件具有较高的雪崩能力和 ESD 耐受性,增强了系统的可靠性和鲁棒性。

应用

1. 开关电源(SMPS):包括 AC/DC 和 DC/DC 转换器,用于笔记本电脑适配器、服务器电源等。
  2. 电机驱动:用于无刷直流电机(BLDC)控制、风扇驱动以及其他需要高效功率管理的电机应用。
  3. 工业自动化:例如可编程逻辑控制器(PLC)、伺服驱动器和逆变器。
  4. 汽车电子:如电动助力转向系统(EPS)、制动系统和车载充电器。
  5. 其他负载切换和保护电路:如电池管理系统(BMS)中的负载开关或保护电路。

替代型号

1. IRFZ44N:这是一款经典的 N 沟道 MOSFET,虽然其导通电阻较高(约 18mΩ),但在某些低功耗应用中仍可作为替代选择。
  2. FDP5800:来自 Fairchild(现为 ON Semiconductor)的产品,具有类似的额定电压和更低的导通电阻(2.6mΩ 典型值),但可能需要重新设计 PCB 以适应不同的封装形式。
  3. AO3400:一款小型表面贴装 MOSFET,适合空间受限的应用场合,不过其电流处理能力较低(仅 17A)。

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