时间：2025/8/2 0:39:02
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CS4N60A4HDY是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率和高频率的电源转换应用。该器件采用先进的超级结技术，具备较低的导通电阻和快速的开关特性，适用于电源适配器、DC-DC转换器、电机驱动和工业控制系统等场景。CS4N60A4HDY采用TO-252（DPAK）封装，具备良好的热管理和高可靠性。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：600V
最大漏极电流（ID）：4A
导通电阻（RDS(on)）：2.5Ω @ VGS=10V
栅极电荷（Qg）：13nC
功耗（PD）：50W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-252（DPAK）
CS4N60A4HDY采用了先进的超级结（Super Junction）技术，显著降低了导通电阻（RDS(on)），从而提高了器件的效率并减少了功率损耗。其600V的高耐压能力使其适用于多种高压电源转换场合。
该MOSFET具备快速开关特性，能够有效减少开关损耗，提高系统的工作频率。同时，其低栅极电荷（Qg）有助于降低驱动损耗，提高整体系统的能效。
TO-252（DPAK）封装提供了良好的散热性能，确保在高功率应用中器件的稳定运行。此外，CS4N60A4HDY具有较高的抗雪崩能力，能够在极端条件下保持可靠运行。
该器件符合RoHS环保标准，适用于对环保要求较高的电子产品设计。
CS4N60A4HDY广泛应用于多种电源管理与功率转换系统，包括开关电源（SMPS）、AC-DC电源适配器、LED驱动电源、DC-DC转换器以及电机控制电路。由于其高耐压和低导通电阻的特性，该器件也常用于工业自动化设备、消费类电子产品以及汽车电子系统中的功率管理模块。
在开关电源设计中，CS4N60A4HDY可用于主开关或同步整流器，提供高效率和稳定的输出。在LED照明系统中，该MOSFET可用于驱动高功率LED模块，确保亮度稳定且能效高。此外，在电机控制应用中，该器件可用于H桥驱动或PWM调速系统，实现精确的电机控制。
STF5N60DM2、FQA4N60C、IRFPC50、CS1N60A4HDY
