CPDQR12VEU-HF 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率转换芯片,适用于高频开关电源、充电器和适配器等应用。该芯片集成了驱动器与保护功能,可显著提高效率并减小系统体积。
这款器件采用超小型封装设计,支持高达 100V 的工作电压,并具备快速开关能力,能有效降低开关损耗。
型号:CPDQR12VEU-HF
最大电压:100V
连续电流:12A
导通电阻:45mΩ
栅极电荷:30nC
开关频率:最高可达 2MHz
封装形式:QFN-8 (3x3mm)
工作温度范围:-40℃ 至 +150℃
CPDQR12VEU-HF 具有高效率和低开关损耗的特点,非常适合用于高频 AC/DC 和 DC/DC 转换器。
其主要特性包括:
- 集成氮化镓场效应晶体管(eGaN FET),提供更高效的功率转换性能。
- 内置过温保护和短路保护功能,确保芯片在异常情况下的可靠性。
- 支持高开关频率操作,有助于减少外部元件尺寸,从而优化整体系统设计。
- 小型化封装使其能够应用于对空间要求严格的场合。
- 提供卓越的热性能,能够在高温环境下稳定运行。
- 兼容 PWM 控制信号,便于与主流控制器搭配使用。
CPDQR12VEU-HF 主要应用于以下领域:
- 快速充电器和 USB-PD 适配器
- 消费类电子产品中的小型化电源解决方案
- 通信设备中的辅助电源模块
- LED 驱动器及工业自动化设备中的高效电源单元
- 笔记本电脑和其他便携式电子设备的充电系统
- 高频 DC/DC 转换器及电池管理系统
CPDQR12VEU-LF, CPDQR10VEU-HF