时间：2025/9/14 11:15:01
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BUK954R8-60E,127是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率功率转换应用设计，具有低导通电阻、高耐压能力和优异的热稳定性。该MOSFET采用先进的TrenchFET技术，适用于DC-DC转换器、电源管理、负载开关、电机控制和电池供电设备等多种应用场景。其封装形式为SO8（表面贴装），具备良好的散热性能，适合在高密度PCB布局中使用。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(VDS)：60V
栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：150A（在Tc=25℃）
导通电阻(RDS(on))：4.2mΩ（最大值，在VGS=10V时）
功率耗散(PD)：60W
工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
封装类型：SO8（表面贴装）
BUK954R8-60E,127的主要特性之一是其极低的导通电阻，这使得在高电流应用中能够显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件的RDS(on)最大值为4.2mΩ，在VGS=10V条件下，确保了在大电流工作状态下仍能保持较低的功率损耗。此外，其60V的漏源击穿电压使其适用于多种中高压功率转换电路，如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器等。
该MOSFET采用先进的沟槽式（Trench）结构技术，提供了良好的热性能和高电流处理能力。同时，其封装形式为SO8，这种封装具有良好的热管理和电气性能，有助于在高功率密度设计中实现更高的可靠性。器件的栅极驱动电压范围宽，支持常见的10V或12V驱动电路，兼容标准MOSFET驱动IC。
在可靠性方面，BUK954R8-60E,127具备优良的雪崩能量承受能力和过热保护特性。其内部结构设计优化，能够有效抑制热失控，确保在极端工作条件下的稳定运行。此外，该器件符合RoHS环保标准，适用于各种工业和消费类电子产品。
BUK954R8-60E,127广泛应用于多种高效率功率电子系统中。例如，在电源管理领域，该器件可用于构建高效DC-DC转换器、同步整流器和负载开关；在电机控制电路中，它可用于H桥驱动或PWM控制，提供高效的功率输出；在电池供电设备中，该MOSFET可作为主开关，实现低功耗和高效率的电源管理。
此外，该器件还适用于工业自动化设备、电信电源系统、LED照明驱动器以及便携式电子设备中的电源管理系统。由于其低导通电阻和高电流能力，特别适合用于需要高效率、高可靠性和高功率密度的应用场景。
IPB015N06N3 G, SiHPx15N60LD, BSC042N06LS5
