LBCW72LT1G 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款双极型晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。该晶体管专为高频率和高功率应用设计,广泛用于射频(RF)放大器、开关电路以及各类功率电子设备中。LBCW72LT1G采用了先进的制造工艺,确保其在高频操作下的稳定性和可靠性。其封装形式为SOT-223,便于安装和散热,适用于各种工业和消费类电子产品。
晶体管类型:NPN
最大集电极电流(Ic):1.5 A
最大集电极-发射极电压(Vce):40 V
最大集电极-基极电压(Vcb):30 V
最大发射极-基极电压(Veb):5 V
最大功耗(Ptot):1.5 W
工作温度范围:-55°C 至 150°C
增益带宽积(fT):100 MHz
电流增益(hFE):在2 mA时为110-800(根据等级不同)
封装类型:SOT-223
LBCW72LT1G是一款高性能的NPN型晶体管,具有出色的高频响应和稳定的电流放大能力。其主要特性之一是高频操作能力,适用于100 MHz的增益带宽积,使其成为射频放大和高速开关的理想选择。该晶体管的电流增益(hFE)范围广泛,根据不同的等级可以在110到800之间变化,这使得它在不同的电路设计中具有很高的灵活性。
此外,LBCW72LT1G的最大集电极电流为1.5 A,能够承受较高的功率负载,适用于需要较大电流输出的应用场景。其最大集电极-发射极电压为40 V,表明该晶体管能够在相对较高的电压环境下稳定工作,增加了其适用范围。晶体管的最大功耗为1.5 W,配合SOT-223封装的散热性能,确保了其在高负载条件下的可靠性。
LBCW72LT1G的工作温度范围为-55°C至150°C,表明其具有良好的热稳定性,适用于恶劣环境条件下的电子设备。这种宽温度范围的特性使其在工业控制、汽车电子和消费类电子产品中都有广泛的应用潜力。
LBCW72LT1G由于其高频性能和较高的功率处理能力,被广泛应用于多个电子领域。常见的应用包括射频放大器、音频放大器、开关电路、电源管理电路以及各类高频信号处理设备。在无线通信设备中,它可以作为功率放大器或信号调节器,确保信号的稳定传输。在工业控制和自动化设备中,LBCW72LT1G可用于驱动继电器、马达或其他高功率负载。此外,它还适用于消费类电子产品中的音频放大电路,提供清晰的音频输出。
BCW72, PN2222A, 2N3904