时间：2025/9/13 20:49:58
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BUK9510-100B,127 是由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的Trench技术，具有低导通电阻、高电流容量和优良的热性能，适用于各种高功率和高效率应用。该器件采用TO-220AB封装，便于安装和散热。
类型：N沟道
漏源电压(Vds)：100V
连续漏极电流(Id)：100A @ TC=25℃
导通电阻(Rds(on))：5.2mΩ @ Vgs=10V
栅极电压(Vgs)：±20V
工作温度范围：-55℃ ~ 175℃
封装类型：TO-220AB
功率耗散(Pd)：300W
BUK9510-100B,127 采用了先进的Trench MOSFET技术，使得该器件具有极低的导通电阻，从而降低了导通损耗，提高了效率。此外，该器件的高电流容量使其能够承受较大的负载电流，适用于高功率应用。器件的封装设计优化了散热性能，有助于提高器件在高功率条件下的稳定性和可靠性。
该MOSFET具有良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定的工作性能。此外，其快速开关特性有助于降低开关损耗，适用于高频开关电源和DC-DC转换器。器件还具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过压情况下保持可靠运行，提高了系统的整体稳定性。
该器件符合RoHS环保标准，无铅封装，适用于工业和汽车电子应用。其封装形式便于安装在散热片上，进一步提升散热效率，确保在高负载条件下的稳定运行。
BUK9510-100B,127 广泛应用于各种高功率和高效率的电子系统中。常见的应用包括DC-DC转换器、电机驱动器、电源管理系统、电池充电器、负载开关、工业自动化设备以及汽车电子系统等。
由于其低导通电阻和高电流容量，该器件特别适合用于需要高效能功率管理的场合，如服务器电源、电信设备电源和高性能计算设备的电源模块。此外，其优异的热性能使其在高温环境下仍能保持稳定运行，适用于严苛的工作环境。
在汽车电子领域，该器件可用于车载电源管理系统、电动助力转向系统（EPS）、车载充电器和电池管理系统（BMS）等应用。其高可靠性和抗干扰能力使其成为汽车电子设计中的优选器件。
STP100N10F7, IRF1405, FDP100N10, SiHF100N10
