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BC846BLT1G 发布时间 时间:2022/12/29 15:19:39 查看 阅读:268

    类型:NPN

    集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):65

    集电极最大电流Ic(max)(mA):100

  

目录

概述

    类型:NPN

    集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):65

    集电极最大电流Ic(max)(mA):100

    直流电流增益hFE最小值(dB):200

    直流电流增益hFE最大值(dB):450

    最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):100

    封装/温度(℃):SOT-23/-55~150


资料

厂商
ON Semiconductor

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BC846BLT1G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)65V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)600mV @ 5mA,100mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)200 @ 2mA,5V
  • 功率 - 最大225mW
  • 频率 - 转换100MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称BC846BLT1GOSTR