时间：2025/9/3 23:08:48
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CRJT390N65GC 是一款由华润微电子（CR Micro）推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件基于先进的沟槽栅（Trench）技术，具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压能力和优异的热稳定性，适用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和功率管理系统等高效率、高频应用场合。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：650V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：30A（@Tc=25℃）
导通电阻（Rds(on)）：0.15Ω（@Vgs=10V）
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装形式：TO-220、TO-247、DFN等
CRJT390N65GC 采用先进的沟槽栅技术，显著降低了导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了整体效率。该器件的耐压能力高达650V，能够承受较高的电压应力，适用于高压应用场景。其最大连续漏极电流可达30A，在高功率密度设计中表现出色。
此外，该MOSFET具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，提升了系统的可靠性和寿命。栅极驱动电压范围为±20V，适用于常见的12V和15V栅极驱动电路，兼容多种控制IC和驱动器。
CRJT390N65GC 广泛应用于各类功率电子系统中，如开关电源（SMPS）、AC-DC适配器、DC-DC转换器、光伏逆变器、UPS不间断电源、电机驱动器、充电桩和工业自动化设备等。其高耐压、低导通电阻和良好热性能使其特别适合于需要高效率和高可靠性的电源管理场合。
SiHF30N65C、STF30N65M2、FDPF30N65S、IRFP4668
