时间：2025/9/14 20:38:07
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BUK9277-55A,118 是由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的一款高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的Trench沟槽技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，适用于需要高效率和高可靠性的应用场合。该MOSFET采用标准的TO-220封装，便于安装和散热管理，是电源转换、负载开关、电机控制等应用的理想选择。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：55V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）@25°C：130A
功耗（Ptot）：250W
导通电阻（Rds(on)）@Vgs=10V：4.5mΩ
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：TO-220
BUK9277-55A,118 具备多项优异特性，使其在高性能功率应用中表现出色。
首先，其低导通电阻（Rds(on)）为4.5mΩ，有助于降低导通损耗，提高系统效率，尤其适用于大电流工作环境。该MOSFET在Vgs=10V时可提供高达130A的连续漏极电流，具备优异的载流能力。
其次，该器件采用先进的Trench沟槽技术，不仅提升了导通性能，还增强了器件的开关特性，使其在高频操作中仍能保持较低的开关损耗。
此外，BUK9277-55A,118 支持±20V的栅极电压，具有较强的抗电压波动能力，提高了在复杂电源环境中的稳定性与可靠性。其TO-220封装形式具备良好的散热性能，适合高功率密度设计，同时便于安装在标准散热片上。
该MOSFET的热阻（Rth）较低，使得在高功率运行时能够有效控制温度上升，从而提升系统的长期稳定性。其工作温度范围为-55°C至+175°C，适用于多种严苛的工业和汽车应用环境。
综上所述，BUK9277-55A,118 是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，适用于需要高效能和高稳定性的电源管理系统。
BUK9277-55A,118 主要应用于各类高功率和高效率的电子系统中，尤其适用于汽车电子、工业电源、电机控制、DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统等场景。
在汽车电子领域，该MOSFET可作为高侧或低侧开关，用于车载电源管理系统、电动助力转向系统（EPS）、车载充电器（OBC）以及电池管理系统（BMS）等关键模块。其高电流能力和良好的热性能，使其在高温环境下仍能保持稳定工作。
在工业应用中，BUK9277-55A,118 常用于开关电源（SMPS）、伺服电机驱动器、逆变器、UPS不间断电源以及高功率LED照明驱动电路。其低导通电阻和高频率响应特性，使其在高频开关应用中表现出色，有助于提高整体系统效率。
此外，该MOSFET也适用于各种负载开关和热插拔电路，用于控制高功率负载的接通与断开，防止浪涌电流对系统造成损害。其高耐用性和稳定性使其在数据中心、服务器电源和工业自动化系统中广泛使用。
SiR142DP-T1-GE3, IRF1404, BSC090N03LSG, BUK9507-55A,118
