时间：2025/8/8 22:45:47
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FGW85N60RB是一款N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高电压和高电流应用。该器件设计用于高效的功率转换和控制，具有低导通电阻（RDS(on)）和高耐压能力。FGW85N60RB的封装形式通常为TO-247或TO-263（D2PAK）等大功率封装，适用于需要高可靠性和散热性能的应用场景。这款MOSFET在电源转换、电机控制、UPS系统和工业自动化设备中非常常见。
类型：N沟道
最大漏源电压（VDS）：600V
最大漏极电流（ID）：85A
导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.085Ω
栅极电压（VGS）：±20V
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-247或TO-263
FGW85N60RB具有低导通电阻（RDS(on)），这使得在高电流工作条件下，器件的导通损耗较低，提高了系统的整体效率。其高耐压能力（600V）使其适用于高电压应用，例如工业电源、电机驱动和逆变器系统。该器件的封装设计优化了散热性能，确保在高功率应用中保持稳定的工作温度。
此外，FGW85N60RB的栅极驱动特性良好，能够在较宽的温度范围内保持稳定的性能。其高可靠性设计使其在严苛环境中仍能正常工作，适用于工业自动化和电力电子设备。该MOSFET还具有快速开关特性，减少了开关损耗，提高了系统的响应速度和效率。
FGW85N60RB还具备过载保护和热保护能力，能够在异常工作条件下提供额外的安全保障。这种保护机制可以防止因过热或过电流导致的器件损坏，延长了使用寿命。
FGW85N60RB广泛应用于各种高功率和高电压场景，例如开关电源（SMPS）、逆变器、电机控制、UPS系统、工业自动化设备和功率因数校正（PFC）电路。它还适用于太阳能逆变器、电动汽车充电系统和高功率LED照明驱动器等新兴应用领域。由于其高可靠性和优良的性能，FGW85N60RB是许多高性能电源管理系统的首选MOSFET。
FGW85N60RBU、FGW85N60RBN、FGW85N60RBP、FGW85N60RBC
