时间：2025/9/4 6:57:09
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RM15TR-C5(71)是一款由ROHM（罗姆）公司生产的N沟道功率MOSFET，适用于各种电源管理及功率控制应用。这款MOSFET具有低导通电阻和高效率的特性，能够满足对性能和可靠性要求较高的设计需求。其封装形式为SOP（小外形封装），适用于表面贴装技术，便于在PCB上安装。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：20V
栅源电压（Vgs）：±12V
连续漏极电流（Id）：4A
导通电阻（Rds(on)）：30mΩ
功率耗散（Pd）：2W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：SOP-8
RM15TR-C5(71)具有低导通电阻特性，有助于降低功率损耗，提高系统效率。由于其导通电阻仅为30mΩ，因此在高电流应用中能够显著减少发热。
这款MOSFET的连续漏极电流为4A，适用于中等功率的开关应用。其漏源电压为20V，栅源电压为±12V，能够在较宽的电压范围内稳定运行。
封装采用SOP-8形式，不仅节省空间，还简化了PCB布局和装配过程。此外，RM15TR-C5(71)具有良好的热稳定性，能够在高温度环境下正常工作，提升了产品的可靠性。
该MOSFET还具备较高的功率耗散能力（2W），能够在负载较大的情况下保持稳定的性能。适用于各种便携式设备和电源管理系统，特别是在对效率和尺寸要求较高的应用中表现优异。
RM15TR-C5(71)广泛应用于电源管理模块、电池供电设备、DC-DC转换器、电机控制电路以及负载开关等场景。其高效的功率控制能力和紧凑的封装设计使其成为便携式电子产品、智能家电、工业自动化设备以及通信设备中的理想选择。
Si2302DS, AO3400A, IRF7301
