时间：2025/5/31 3:18:55
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BUK9212-55B 是一款由安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，非常适合用于需要高效能和高频操作的应用场景。BUK9212-55B的封装形式为TO-263-3（DPAK），能够提供出色的散热性能和可靠性。
这款MOSFET广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器以及负载开关等领域。其高效率和耐用性使其成为许多工业及消费电子应用中的理想选择。
最大漏源电压：55V
连续漏极电流：17A
导通电阻：1.8mΩ
栅极电荷：40nC
工作结温范围：-55℃ 至 150℃
封装类型：TO-263-3（DPAK）
BUK9212-55B具有非常低的导通电阻，仅为1.8毫欧，这有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。
该器件的栅极电荷较低，仅为40纳库仑，因此可以实现更快的开关速度，这对于高频开关应用尤为重要。
它支持高达17安培的连续漏极电流，并能够在-55°C至150°C的宽温度范围内稳定工作，确保在各种环境条件下的可靠运行。
此外，其TO-263-3封装形式不仅提供了良好的散热性能，还便于PCB布局和焊接过程。
BUK9212-55B适用于多种电力电子应用，包括但不限于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. 直流-直流转换器
3. 电机驱动与控制
4. 负载开关
5. 工业自动化设备
6. 消费类电子产品中的电源管理模块
由于其低导通电阻和高电流处理能力，该MOSFET特别适合要求高效率和高性能的场景。
BUK9N06-55E, IRF540N, FDP5500
