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HGK3FB102KG3BW(3KV102K) 发布时间 时间:2025/5/21 18:42:03 查看 阅读:9

HGK3FB102KG3BW(3KV102K)是一款高性能的高压硅堆(High Voltage Diode Stack),主要用于高电压整流和开关应用。该器件采用了先进的半导体制造工艺,确保在高电压环境下具有优异的稳定性和可靠性。其额定电压高达3kV,正向电流为1A,广泛应用于电源、医疗设备、工业控制等领域。
  这款高压二极管采用玻璃封装形式,具备优良的耐潮性能和机械强度,能够适应恶劣的工作环境。同时,它还具有较低的反向漏电流和快速的恢复时间,从而提高了系统的效率和稳定性。

参数

型号:HGK3FB102KG3BW
  额定电压:3000V
  峰值工作电压:3300V
  正向电流:1A
  反向漏电流:≤50nA(25℃)
  结电容:≤15pF
  恢复时间:≤5μs
  工作温度范围:-40℃至+125℃
  封装形式:玻璃封装

特性

1. 高额定电压(3kV)使其适合各种高压应用场景。
  2. 玻璃封装技术提供出色的耐潮性能和抗机械应力能力。
  3. 低反向漏电流保证了在高阻抗电路中的高效运行。
  4. 快速恢复时间减少了开关损耗,提升了整体系统效率。
  5. 广泛的工作温度范围(-40℃至+125℃)使得该器件能够在极端条件下保持可靠运行。
  6. 符合RoHS标准,环保且易于集成到现代电子产品中。

应用

1. 高压直流电源
  2. X射线设备
  3. 工业控制系统
  4. 高频逆变器
  5. 脉冲发生器
  6. 高压测试设备
  7. 激光驱动器
  8. 医疗成像设备

替代型号

MRA30100T3G
  HVR30100
  3EGC102

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