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IXTX102N65X2 发布时间 时间:2025/8/6 9:05:23 查看 阅读:20

IXTX102N65X2是一款由IXYS公司制造的高电压、高电流MOSFET功率晶体管,专为高性能电源转换应用而设计。该器件采用了先进的高压MOSFET技术,具有低导通电阻、高效率和快速开关特性,使其非常适合用于高功率密度设计。IXTX102N65X2的额定电压为650V,连续漏极电流可达102A,适用于需要高可靠性和高效率的工业和电源管理系统。

参数

类型:MOSFET
  极性:N沟道
  最大漏源电压(Vds):650V
  最大漏极电流(Id):102A
  导通电阻(Rds(on)):约8.5mΩ
  封装类型:TO-247
  工作温度范围:-55°C至175°C
  栅极电荷(Qg):约190nC
  漏源击穿电压(BR):650V

特性

IXTX102N65X2具备多个关键特性,使其在功率转换应用中表现出色。首先,其低导通电阻(Rds(on))显著降低了导通损耗,提高了整体效率。其次,该器件的高电流容量(102A)支持其在高负载条件下稳定运行,而不会产生过大的温升。此外,IXTX102N65X2具有快速开关能力,减少了开关损耗,并支持高频操作,从而提高了电源转换系统的性能。
  该MOSFET还具备出色的热稳定性,其封装设计能够有效散热,确保在高功率环境下可靠运行。TO-247封装形式不仅便于安装和散热管理,还提供了良好的机械强度和电气连接性能。此外,IXTX102N65X2的工作温度范围较宽,从-55°C至175°C,适合在极端环境条件下使用。
  在可靠性方面,IXTX102N65X2通过了严格的工业标准测试,确保其在长期运行中的稳定性和耐用性。其高电压耐受能力(650V)使其适用于多种高电压应用,如服务器电源、工业电机控制和太阳能逆变器等。

应用

IXTX102N65X2广泛应用于高功率电源转换设备中,包括服务器电源、UPS(不间断电源)、工业电机驱动、太阳能逆变器以及各种高效率DC-DC转换器。其高电流能力和低导通电阻使其成为高功率密度设计的理想选择。此外,该器件也常用于电机控制和负载开关应用,适用于需要高可靠性和高效率的工业自动化和电力管理系统。

替代型号

STF10N65M5, FCP10N65S3, IXFH102N65X2

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IXTX102N65X2参数

  • 现有数量1现货
  • 价格1 : ¥160.75000管件
  • 系列Ultra X2
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)650 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)102A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)30 毫欧 @ 51A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)152 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)10900 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1040W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装PLUS247?-3
  • 封装/外壳TO-247-3 变式