IXTX102N65X2是一款由IXYS公司制造的高电压、高电流MOSFET功率晶体管,专为高性能电源转换应用而设计。该器件采用了先进的高压MOSFET技术,具有低导通电阻、高效率和快速开关特性,使其非常适合用于高功率密度设计。IXTX102N65X2的额定电压为650V,连续漏极电流可达102A,适用于需要高可靠性和高效率的工业和电源管理系统。
类型:MOSFET
极性:N沟道
最大漏源电压(Vds):650V
最大漏极电流(Id):102A
导通电阻(Rds(on)):约8.5mΩ
封装类型:TO-247
工作温度范围:-55°C至175°C
栅极电荷(Qg):约190nC
漏源击穿电压(BR):650V
IXTX102N65X2具备多个关键特性,使其在功率转换应用中表现出色。首先,其低导通电阻(Rds(on))显著降低了导通损耗,提高了整体效率。其次,该器件的高电流容量(102A)支持其在高负载条件下稳定运行,而不会产生过大的温升。此外,IXTX102N65X2具有快速开关能力,减少了开关损耗,并支持高频操作,从而提高了电源转换系统的性能。
该MOSFET还具备出色的热稳定性,其封装设计能够有效散热,确保在高功率环境下可靠运行。TO-247封装形式不仅便于安装和散热管理,还提供了良好的机械强度和电气连接性能。此外,IXTX102N65X2的工作温度范围较宽,从-55°C至175°C,适合在极端环境条件下使用。
在可靠性方面,IXTX102N65X2通过了严格的工业标准测试,确保其在长期运行中的稳定性和耐用性。其高电压耐受能力(650V)使其适用于多种高电压应用,如服务器电源、工业电机控制和太阳能逆变器等。
IXTX102N65X2广泛应用于高功率电源转换设备中,包括服务器电源、UPS(不间断电源)、工业电机驱动、太阳能逆变器以及各种高效率DC-DC转换器。其高电流能力和低导通电阻使其成为高功率密度设计的理想选择。此外,该器件也常用于电机控制和负载开关应用,适用于需要高可靠性和高效率的工业自动化和电力管理系统。
STF10N65M5, FCP10N65S3, IXFH102N65X2