电容值：22μF
　　容差：±20%
　　额定电压：6.3V
　　封装尺寸：1210（3225 公制）
　　温度系数：X5R
　　工作温度范围：-55°C 至 +85°C
　　介质材料：陶瓷
　　安装类型：表面贴装

TNFLP0J226MTRXF 具有出色的稳定性和可靠性，在广泛的温度范围内保持电容值的稳定性。该电容器采用了 X5R 温度系数陶瓷介质，使其在 -55°C 至 +85°C 的工作温度范围内能够保持 ±15% 以内的电容变化。此外，它具有低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL），非常适合用于高频滤波和去耦应用。
　　这款电容器的设计符合 RoHS 标准，不含有害物质，适合环保要求较高的应用。它的表面贴装封装（1210）使得在 PCB 上的布局更加灵活，同时便于自动化生产和焊接。此外，TNFLP0J226MTRXF 在高温和高湿度环境下表现出良好的耐久性，能够在严苛的工作条件下长期稳定运行。
　　由于其较高的电容值（22μF）和紧凑的封装尺寸，TNFLP0J226MTRXF 在电源去耦、直流-直流转换器和滤波电路中表现出色。它能够有效地减少电源噪声，提高电路的稳定性，并在瞬态负载变化时提供稳定的电压支持。

TNFLP0J226MTRXF 适用于多种电子设备和系统，包括消费类电子产品、通信设备、工业控制系统和汽车电子系统。在电源管理电路中，它常用于输入/输出滤波、去耦和储能。此外，该电容器也广泛用于数字电路中，为 IC 提供稳定的电源供应，减少高频噪声的干扰。其高频性能使其在射频和模拟电路中也具有一定的应用价值。

C3225X5R1C226M, GRM32ER61C226KE19L, CL32X5R1C226KQUN