FN03N6R8C500PLG是一款高性能的MOSFET功率晶体管,适用于多种开关和功率转换应用。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,适合用于工业控制、电源管理和电机驱动等领域。
这款MOSFET属于N沟道增强型器件,能够提供高效的电力传输和卓越的耐用性。其封装形式为PLG,具有良好的散热特性和电气连接可靠性。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:500A
导通电阻:3mΩ
栅极电荷:50nC
开关时间:开启时间20ns,关闭时间15ns
工作温度范围:-55℃至175℃
FN03N6R8C500PLG的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(3mΩ),有效降低传导损耗,提升效率。
2. 高额定电流(500A),可承受大负载,满足高功率需求。
3. 快速开关性能,适合高频开关应用。
4. 具备出色的热稳定性和耐用性,能够在极端温度范围内可靠运行。
5. 封装形式PLG设计优化了散热路径,提高了功率密度和系统集成度。
6. 符合RoHS标准,环保且可靠。
FN03N6R8C500PLG广泛应用于以下领域:
1. 工业电源和开关模式电源(SMPS)。
2. 电动车辆(EV)及混合动力车辆(HEV)中的电机驱动和DC-DC转换器。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率转换模块。
4. 大功率LED驱动电路。
5. 各种工业自动化设备中的功率管理单元。
6. 不间断电源(UPS)和电池管理系统(BMS)。
IRF540N
STP55NF06L
FDP5500
IXYS2N60C3