BUK7Y1R7-40H 是一款由安森美(ON Semiconductor)生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于各种需要高效能功率转换的应用场景。该器件通常用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等应用中。
BUK7Y1R7-40H采用了LFPAK56封装形式,这种封装具备出色的散热性能,并且能够支持表面贴装技术(SMT),便于自动化生产和优化电路板空间。
最大漏源电压:40V
连续漏极电流:3.9A
导通电阻:12mΩ
栅极电荷:10nC
开关时间:ton=10ns, toff=15ns
工作温度范围:-55℃至175℃
1. 极低的导通电阻,有助于减少功率损耗并提高效率。
2. 高速开关能力,适合高频开关应用。
3. 良好的热稳定性和可靠性,能够在恶劣环境下长时间运行。
4. 小尺寸LFPAK56封装,节省PCB空间并简化布局设计。
5. 符合RoHS标准,环保无铅材料。
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
2. DC-DC转换器中的功率开关。
3. 电池管理系统中的负载切换。
4. 电机驱动和控制电路。
5. 各种消费类电子产品中的保护和开关功能。
IRLZ44N, FDP5802, AO3400A