时间：2025/9/14 13:33:55
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BUK7S1R2-40HJ是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的高性能MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，专为高效能和高可靠性应用设计。这款MOSFET采用了先进的TrenchMOS技术，能够在较低的导通电阻下实现高效的功率转换性能，适用于各种功率管理和开关电路。BUK7S1R2-40HJ特别适合在高电流和高频率工作条件下运行，确保了器件的稳定性和耐用性。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：120A
最大漏源电压（VDS）：40V
导通电阻（RDS(on)）：1.2mΩ
最大功率耗散（PD）：100W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-263（D2PAK）
BUK7S1R2-40HJ具有多项出色的电气和机械特性，使其在多种功率应用中表现出色。其低导通电阻（RDS(on)）确保了在高电流条件下，器件的功耗和发热保持在较低水平，从而提高了系统的整体效率。该器件的额定漏源电压为40V，能够在高压环境下稳定运行，适合用于需要较高电压容忍度的电路设计。
此外，BUK7S1R2-40HJ的最大漏极电流达到120A，这使其能够处理较大的负载电流，非常适合用于高功率转换应用，例如DC-DC转换器、电机控制和电源管理模块。该MOSFET采用了TO-263（D2PAK）表面贴装封装，具有良好的热管理性能，有助于提高器件的散热效率并减少外部散热器的需求。
在工作温度方面，BUK7S1R2-40HJ可以在-55°C至175°C的宽温度范围内稳定运行，适用于各种严苛的工作环境，包括工业控制、汽车电子和消费类电子产品。此外，该器件的高功率耗散能力（100W）进一步增强了其在高负载条件下的可靠性。
BUK7S1R2-40HJ的应用领域广泛，涵盖了多种功率管理和开关电路的设计。由于其低导通电阻和高电流承载能力，该器件常用于DC-DC转换器、同步整流器以及功率因数校正（PFC）电路中，以提高能源转换效率。在工业自动化和电机控制领域，BUK7S1R2-40HJ可作为高效能的功率开关，用于驱动大功率负载，如电动机和继电器。
此外，该MOSFET还广泛应用于汽车电子系统中，例如车载充电器、电池管理系统（BMS）和电动车辆的功率模块。由于其宽工作温度范围和高可靠性，BUK7S1R2-40HJ也适用于严苛的汽车环境。在消费类电子产品中，该器件可用于电源管理模块，以优化设备的能耗和性能。
IRF1405, SiS170DN, IPB120N15N3G
