时间：2025/9/14 12:23:11
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BUK7M6R7-40HX 是由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款高性能功率 MOSFET 晶体管。该器件采用先进的 TrenchMOS 技术，具有极低的导通电阻和优异的热性能，适用于需要高效率和高可靠性的电源管理系统。该封装为 HVSON，尺寸紧凑，适用于空间受限的应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：40V
漏极电流(Id)：150A
导通电阻(Rds(on))：6.7mΩ（最大）
栅极电荷(Qg)：89nC
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：HVSON
安装类型：表面贴装
BUK7M6R7-40HX 拥有出色的电气性能和热稳定性，主要得益于其低导通电阻（Rds(on)），该参数在工作条件下可低至 6.7mΩ，从而显著降低了功率损耗，提高了系统效率。其采用的 TrenchMOS 技术不仅提供了更高的电流密度，还优化了热阻性能，使器件在高负载条件下依然保持稳定运行。
该器件支持高达 150A 的连续漏极电流，具备较强的电流处理能力，适用于高功率密度设计。栅极电荷（Qg）为 89nC，确保了快速的开关性能，从而降低了开关损耗，提升了整体能效。
此外，BUK7M6R7-40HX 的工作温度范围宽广，支持 -55°C 至 175°C 的工作环境，使其在高温或严苛环境下仍能保持优异的性能和可靠性。HVSON 封装形式进一步提高了其在 PCB 上的集成度，适合用于空间受限的高密度设计。
在可靠性方面，该 MOSFET 具备良好的抗静电能力和过热保护特性，能够在复杂电磁环境中稳定工作，延长设备使用寿命。
BUK7M6R7-40HX 主要应用于高功率密度的电源管理系统，例如 DC-DC 转换器、负载开关、电动车辆的电池管理系统（BMS）、工业自动化设备、服务器电源以及电机控制电路等。其优异的导通性能和热管理能力，使其成为替代传统高损耗功率器件的理想选择。在电动车和新能源系统中，该器件可用于高效能的电池保护与能量管理模块，提高系统的整体能效与稳定性。此外，在高功率 LED 驱动、UPS（不间断电源）和电源分配系统中，也具有广泛的应用前景。
SiS17800DN-T1-GE3, IPB017N04NGATMA1, FDS4880S
