时间：2025/8/2 6:26:48
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AO3495 是一款由 Alpha & Omega Semiconductor 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效能电源管理和开关电路。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流能力，适用于需要快速开关和高效能转换的应用。AO3495 通常用于 DC-DC 转换器、负载开关、马达驱动器以及电池管理系统等场景。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏极电流（ID）：4.1A
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：20V
导通电阻（RDS(on)）：28mΩ @ VGS=10V；42mΩ @ VGS=4.5V
功耗（PD）：2.5W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：SOT-23
晶体管配置：单晶体管
AO3495 MOSFET 的主要特点包括低导通电阻、高电流承载能力和优异的热性能。该器件使用先进的沟槽技术，显著降低了导通损耗，提高了系统效率。在 10V 栅极电压下，其导通电阻仅为 28mΩ，而即使在 4.5V 的较低驱动电压下，导通电阻也仅为 42mΩ，这使其适用于低电压驱动电路。
此外，AO3495 的最大漏极电流为 4.1A，在 30V 漏源电压下具有良好的导通和关断性能。其最大栅源电压为 20V，确保了在不同驱动条件下器件的稳定运行。该 MOSFET 采用 SOT-23 小型表面贴装封装，适用于空间受限的电路设计。
AO3495 的高可靠性和宽工作温度范围（-55°C 至 150°C）使其能够在各种恶劣环境下稳定运行。其热阻（RθJA）较低，有助于有效散热，从而提高系统的稳定性和寿命。
AO3495 广泛应用于多个领域，包括 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统和马达驱动器等。在电源管理电路中，AO3495 用于高效能转换和低功耗设计。其低导通电阻特性使其成为电池供电设备的理想选择，有助于延长电池续航时间。
Si2302DS, IRML2803, FDS6680, BSS138
