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AO3495 发布时间 时间:2025/8/2 6:26:48 查看 阅读:46

AO3495 是一款由 Alpha & Omega Semiconductor 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高效能电源管理和开关电路。该器件采用先进的沟槽技术,具有低导通电阻(RDS(on))和高电流能力,适用于需要快速开关和高效能转换的应用。AO3495 通常用于 DC-DC 转换器、负载开关、马达驱动器以及电池管理系统等场景。

参数

类型:N 沟道增强型 MOSFET
  漏极电流(ID):4.1A
  漏源电压(VDS):30V
  栅源电压(VGS):20V
  导通电阻(RDS(on)):28mΩ @ VGS=10V;42mΩ @ VGS=4.5V
  功耗(PD):2.5W
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装类型:SOT-23
  晶体管配置:单晶体管

特性

AO3495 MOSFET 的主要特点包括低导通电阻、高电流承载能力和优异的热性能。该器件使用先进的沟槽技术,显著降低了导通损耗,提高了系统效率。在 10V 栅极电压下,其导通电阻仅为 28mΩ,而即使在 4.5V 的较低驱动电压下,导通电阻也仅为 42mΩ,这使其适用于低电压驱动电路。
  此外,AO3495 的最大漏极电流为 4.1A,在 30V 漏源电压下具有良好的导通和关断性能。其最大栅源电压为 20V,确保了在不同驱动条件下器件的稳定运行。该 MOSFET 采用 SOT-23 小型表面贴装封装,适用于空间受限的电路设计。
  AO3495 的高可靠性和宽工作温度范围(-55°C 至 150°C)使其能够在各种恶劣环境下稳定运行。其热阻(RθJA)较低,有助于有效散热,从而提高系统的稳定性和寿命。

应用

AO3495 广泛应用于多个领域,包括 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统和马达驱动器等。在电源管理电路中,AO3495 用于高效能转换和低功耗设计。其低导通电阻特性使其成为电池供电设备的理想选择,有助于延长电池续航时间。

替代型号

Si2302DS, IRML2803, FDS6680, BSS138

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AO3495参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)20 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)5A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)1.5V,4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)41 毫欧 @ 4A,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)900mV @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)20 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±8V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)751 pF @ 10 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1.5W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-23-3
  • 封装/外壳3-SMD,SOT-23-3 变式