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BUK7M33-60E 发布时间 时间:2025/9/14 20:54:57 查看 阅读:26

BUK7M33-60E是一款由NXP Semiconductors(恩智浦半导体)制造的高性能N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件专为高电流、高效率的功率开关应用而设计,适用于如电源管理、电机控制、电池管理系统和汽车电子等领域。该MOSFET采用先进的TrenchMOS技术,提供了低导通电阻(RDS(on))和高耐压能力,使其在高功率密度应用中表现出色。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏极电流(ID):100A
  最大漏源电压(VDS):60V
  导通电阻(RDS(on)):10.5mΩ(典型值)
  栅极阈值电压(VGS(th)):2V至4V
  最大栅极电压(VGS):±20V
  工作温度范围:-55°C至+175°C
  封装形式:TO-220AB
  安装类型:通孔

特性

BUK7M33-60E具有多项优异的电气和热性能特性。其低导通电阻(RDS(on))显著降低了导通损耗,提高了系统的整体效率。该MOSFET的高耐压能力(60V VDS)允许其在中高压应用中稳定运行,同时其最大漏极电流可达100A,能够满足大功率负载的需求。
  此外,该器件采用了NXP的TrenchMOS技术,提供更优的导通和开关性能,并且在高温环境下仍能保持良好的稳定性。其宽栅极阈值电压范围(2V至4V)使其兼容多种驱动电路,包括低电压微控制器。
  该MOSFET的封装形式为TO-220AB,具有良好的散热能力,适用于高功率应用场景。同时,其工作温度范围为-55°C至+175°C,能够在极端温度环境下稳定工作,适用于工业和汽车电子等对可靠性要求较高的场合。

应用

BUK7M33-60E广泛应用于多个高功率电子系统中,特别是在需要高效能和高可靠性的场景中。其主要应用包括:电源管理模块、直流-直流转换器、电机驱动电路、电池管理系统(BMS)、不间断电源(UPS)、工业自动化设备、汽车电子控制系统(如电动助力转向系统EPS、车载充电器OBC)等。
  由于其高电流承载能力和低导通电阻,该MOSFET特别适合用于高效率的同步整流器和功率因数校正(PFC)电路。在汽车电子领域,BUK7M33-60E可作为主控开关用于电动车辆的电池管理系统,确保高效能和高可靠性的电力传输。
  此外,该器件也适用于高功率LED照明系统、太阳能逆变器以及工业电机控制等应用,能够在高负载条件下提供稳定的性能。

替代型号

IRF1405, STP100N6F6, FDP100N6F6

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