芯片类型：NAND Flash
　　容量：128MB（1Gbit）
　　电压范围：2.7V - 3.6V
　　接口类型：16位并行接口（x16）
　　封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　页面大小：512字节 + 16字节（OOB）
　　块大小：32页/块
　　擦写周期：10万次（Typical）
　　数据保持时间：10年
　　读取时间：最大70ns
　　写入时间：最大50ns

HY27US16122B-TPIB是一款高性能、低功耗的NAND闪存芯片，专为嵌入式系统和便携式电子设备设计。其1Gbit的存储容量能够满足多种应用场景的数据存储需求，例如固件存储、日志记录、文件系统存储等。该芯片采用16位并行接口设计，支持高速数据传输，适用于需要快速读写的应用环境。
　　该芯片的工作电压范围为2.7V至3.6V，具有良好的电压适应能力，能够在不同电源条件下稳定运行。封装形式为TSOP（Thin Small Outline Package），便于在空间受限的电路板上安装和布线。此外，其工作温度范围宽达-40°C至+85°C，适用于各种恶劣的工业环境。
　　HY27US16122B-TPIB的页面大小为512字节加上16字节的OOB（Out-Of-Band）区域，支持ECC（错误校正码）功能，能够有效提升数据的可靠性与完整性。每个块由32页组成，支持快速擦写操作，擦写周期可达10万次以上，数据保持时间长达10年，具有较高的耐用性和稳定性。
　　其读取时间为最大70ns，写入时间为最大50ns，能够满足大多数高速应用的需求。该芯片还支持多种命令集，包括读取、写入、擦除、状态查询等，提供了灵活的控制方式。

HY27US16122B-TPIB常用于嵌入式系统、消费类电子产品、工业控制设备、通信设备、手持终端、MP3播放器、数码相机、USB闪存盘、存储卡、固态硬盘（SSD）、车载电子设备、智能电表、医疗设备等对存储容量和稳定性有一定要求的应用场景。其高性能和低功耗的特性使其非常适合电池供电设备或需要长期运行的工业设备。

K9F1208U0B-PCB0, TC58NVG2S0AFT, MT29F1G08ABAEAWP