KRA117S 时间：2025/9/11 18:23:32 阅读：21

KRA117S 是一款由Korea Electronics(KEC)公司生产的N沟道功率MOSFET。这款MOSFET设计用于高电流、高电压的应用场合，具有良好的导通特性和较低的导通损耗。KRA117S采用TO-220封装，适合用于各种电源管理和功率控制电路中。由于其良好的电气性能和可靠性，KRA117S广泛应用于DC-DC转换器、电源开关、电机控制、照明驱动等领域。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：20V
　　最大漏极电流(Id)：8A
　　导通电阻(Rds(on))：0.025Ω（最大）
　　栅极阈值电压(Vgs(th))：1V ~ 2.5V
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：TO-220

特性

KRA117S具有低导通电阻的特点，使其在导通状态下损耗更低，提高了系统的整体效率。同时，该器件具备较高的电流承载能力，能够在高负载条件下稳定工作。KRA117S采用了先进的沟槽式MOSFET技术，提升了器件的开关速度和热稳定性，从而在高频开关应用中表现出色。此外，该MOSFET具有良好的热阻性能，能够有效散热，防止因温度过高而导致的性能下降或损坏。KRA117S还具备较强的抗过载能力和短路保护能力，适用于需要高可靠性的工业和消费类电子产品。由于其TO-220封装形式，KRA117S便于安装和散热，适用于各种PCB布局设计。

应用

KRA117S广泛应用于多种功率电子系统中，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统、LED照明驱动器、电机控制电路以及各种电源管理模块。此外，它也常用于汽车电子系统、工业自动化控制、家用电器和消费类电子产品中的功率控制部分。由于其优异的导通特性和高频响应能力，KRA117S也适用于PWM控制和高频开关电源设计。