时间：2025/5/15 11:33:11
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BUK7J1R4-40H 是一款由安森美（onsemi）生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种功率转换和电机驱动应用。其封装形式为TO-263（DPAK），便于散热和电路板布局。
BUK7J1R4-40H 的最大额定电压为40V，能够承受较高的电流负载，并具备出色的热性能和电气性能，使其成为高效功率管理的理想选择。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：39A
导通电阻（典型值）：1.4mΩ
栅极电荷：39nC
开关时间：ton=15ns, toff=18ns
结温范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-263
BUK7J1R4-40H 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，可有效降低功率损耗，提升系统效率。
2. 快速开关能力，适合高频应用场合。
3. 高电流处理能力，确保在大功率场景下的稳定运行。
4. 优秀的热性能，能够在高温环境下可靠工作。
5. 栅极阈值电压较低，易于驱动，简化了电路设计。
6. 符合RoHS标准，环保且满足现代工业规范要求。
该MOSFET广泛应用于多种领域，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC-DC转换器，用于提高转换效率。
3. 电机驱动电路，控制直流或无刷电机。
4. 汽车电子系统，如电动助力转向和电池管理系统。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. LED驱动器，提供高效的电流调节功能。
BUK7J1R5-40H, BUK7Y1R8-40E, IRFZ44N
