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IRFH5006TRPBF 发布时间 时间:2025/6/29 13:44:55 查看 阅读:6

IRFH5006TRPBF 是一款由 Infineon(原 International Rectifier,IR)生产的 N 道逻辑级功率 MOSFET。该器件采用 Trench 技术制造,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适用于高效率 DC-DC 转换器、同步整流、负载开关以及其他功率管理应用。
  该器件封装为 SO-8(PowerPAK SO-8),支持表面贴装,具备良好的热性能和电气性能。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:47A
  导通电阻(Rds(on)):2.5mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
  栅极电荷:27nC(典型值)
  输入电容:1290pF(典型值)
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:SO-8(PowerPAK SO-8)

特性

IRFH5006TRPBF 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低导通损耗并提升系统效率。
  2. 高电流承载能力,可支持高达 47A 的连续漏极电流。
  3. 快速开关性能,得益于较低的栅极电荷和反向恢复电荷。
  4. 热增强型 PowerPAK SO-8 封装,提供卓越的散热性能。
  5. 工作温度范围宽广,适合各种恶劣环境下的应用。
  6. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
  这些特性使 IRFH5006TRPBF 成为高效功率转换应用的理想选择。

应用

IRFH5006TRPBF 广泛应用于以下领域:
  1. 电信设备中的 DC-DC 转换器。
  2. 笔记本电脑和服务器电源中的同步整流。
  3. 消费类电子产品的负载开关。
  4. 功率管理模块中的高端或低端开关。
  5. 电机驱动和电池保护电路。
  由于其高效的功率处理能力和快速的开关速度,该器件非常适合需要高效率和高密度功率转换的应用场景。

替代型号

IRLH5006TRPBF, SI4476DY, FDP5510

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IRFH5006TRPBF参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C21A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.1 毫欧 @ 50A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 150µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs100nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds4175pF @ 30V
  • 功率 - 最大3.6W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-PowerVQFN
  • 供应商设备封装PQFN(5x6)
  • 包装带卷 (TR)