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PZTA44T/R 发布时间 时间:2025/7/16 15:07:32 查看 阅读:4

PZTA44T/R 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET,采用 TO-252 (DPAK) 封装。该器件具有低导通电阻、快速开关特性和高电流处理能力,适用于多种电源管理应用,如 DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等。
  这款 MOSFET 的设计旨在优化效率和散热性能,特别适合在高频开关条件下使用。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:16A
  导通电阻:3.8mΩ(典型值)
  栅极电荷:7.5nC(典型值)
  总电容:950pF(典型值)
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

PZTA44T/R 提供了出色的电气性能和可靠性,以下是其主要特点:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗并提高系统效率。
  2. 快速开关能力,支持高频操作,降低开关损耗。
  3. 高雪崩能量耐受能力,增强了器件的鲁棒性。
  4. 热稳定性好,能够在高温环境下可靠运行。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且满足现代电子产品的合规性要求。

应用

PZTA44T/R 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
  2. 降压和升压 DC-DC 转换器。
  3. 电池保护电路和负载切换。
  4. 电机控制和驱动。
  5. 工业自动化设备中的功率级控制。
  6. 各类消费电子产品中的高效功率转换解决方案。

替代型号

PZTA44L/R, IRFZ44N, FDP5580

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