时间：2025/9/14 14:03:38
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BUK7E2R6-60E,127 是由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）生产的一款高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率电源转换系统设计，具备低导通电阻（Rds(on)）和高电流处理能力，适用于汽车电子、工业电源、DC-DC转换器以及负载开关等应用。该MOSFET采用先进的Trench技术，提供优异的开关性能和热稳定性。该型号采用小型化的LFPAK56（Power-SO8）封装，具有良好的散热性能，且支持双面散热，适用于高密度电源设计。
类型：N沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）@25°C：120A
漏极电流（Id）@100°C：75A
导通电阻 Rds(on)：2.6mΩ @Vgs=10V
导通电阻最大值：3.4mΩ
栅极电荷（Qg）：53nC @10V
输入电容（Ciss）：2300pF
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装：LFPAK56（Power-SO8）
BUK7E2R6-60E,127 具备多项先进特性，首先是其极低的导通电阻（Rds(on)），在Vgs=10V时典型值仅为2.6mΩ，从而显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用恩智浦的Trench MOSFET技术，提供优异的性能与热稳定性。该MOSFET支持高达120A的连续漏极电流（在25°C下），即使在高温环境下（100°C）仍可提供75A的电流能力，适用于大电流负载应用。其栅极电荷（Qg）为53nC，确保了快速开关能力和较低的开关损耗，适用于高频开关电源设计。
此外，该MOSFET采用LFPAK56封装，具备优异的热性能和机械强度，支持双面散热设计，适用于紧凑型高功率密度系统。该封装还具有高可靠性，适合汽车电子等严苛环境下的应用。器件的栅源电压为±20V，具备良好的抗过压能力，提高了系统稳定性与安全性。该器件符合RoHS环保标准，适用于多种工业和汽车电子应用。
BUK7E2R6-60E,127 主要应用于高效率电源管理系统，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器以及电池管理系统。该器件也广泛用于汽车电子系统，如车载充电器（OBC）、48V轻混系统、LED照明驱动以及电源分配系统。由于其高电流能力和低导通电阻，特别适用于需要高效能和高可靠性的电源转换设备。此外，该MOSFET也可用于工业自动化控制系统、服务器电源、UPS不间断电源以及储能系统中的功率开关模块。
IPD90N06S4-03, BSC0906NS, BUK9K14-60E, SQJQ120EP
