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BUK78150-55A/CUF 发布时间 时间:2025/9/14 15:54:35 查看 阅读:27

BUK78150-55A/CUF 是一款由恩智浦半导体(NXP Semiconductors)推出的高性能N沟道功率MOSFET。该器件设计用于高电流、高效率的应用,如电源转换器、电机控制、负载开关以及工业自动化系统。这款MOSFET采用了先进的Trench技术,具有低导通电阻(Rds(on))和高功率密度,能够在高压和高电流条件下稳定运行。BUK78150-55A/CUF 采用无铅封装,符合RoHS环保标准,适用于要求高可靠性和长寿命的电子系统。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):150V
  最大连续漏极电流(Id):78A
  导通电阻(Rds(on)):5.5mΩ(典型值)
  栅极电荷(Qg):110nC
  最大功率耗散(Ptot):300W
  工作温度范围:-55°C至+175°C
  封装类型:TO-263(D2PAK)

特性

BUK78150-55A/CUF 具有多个显著的电气和热性能优势。首先,其低导通电阻(Rds(on))仅为5.5mΩ,使得在高电流工作条件下,MOSFET的导通损耗显著降低,从而提高整体系统效率。这在开关电源、DC-DC转换器和电机驱动器中尤为重要。
  其次,该器件采用Trench MOSFET结构,能够在保证低Rds(on)的同时提供较高的雪崩能量承受能力,增强其在恶劣工作环境中的耐用性。此外,该MOSFET具有较高的热稳定性和散热能力,TO-263(D2PAK)封装设计支持良好的热管理和机械安装,适合高功率密度应用。
  BUK78150-55A/CUF 还具备快速开关特性,其栅极电荷(Qg)为110nC,有助于减少开关过程中的能量损耗,提高系统响应速度。此外,该器件支持宽范围的栅极驱动电压,适用于多种控制电路设计。
  最后,该MOSFET符合AEC-Q101汽车级标准,适用于汽车电子系统中对可靠性要求较高的应用场景。

应用

BUK78150-55A/CUF 被广泛应用于多种高功率电子系统中。首先,在电源管理系统中,它常用于DC-DC降压/升压转换器、同步整流器和负载开关等电路,提供高效、稳定的功率转换功能。其低Rds(on)和高电流承载能力使其成为高性能电源模块的理想选择。
  其次,在工业自动化和电机控制系统中,BUK78150-55A/CUF 可用于H桥驱动电路、伺服电机控制和高边开关应用,提供快速响应和可靠的功率控制。此外,它也适用于电池管理系统(BMS)、储能系统和UPS不间断电源设备。
  在汽车电子领域,该器件可用于车载充电器(OBC)、电动助力转向系统(EPS)、电池保护电路以及各种车载功率模块。其符合AEC-Q101标准的特性,使其能够在严苛的汽车环境中稳定运行。
  此外,BUK78150-55A/CUF 也适用于LED照明系统、太阳能逆变器以及家用电器中的高功率控制电路。

替代型号

IRF1405, FDP78150, SiR182DP, BSC055N15NS5, BUK78154-55A

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BUK78150-55A/CUF参数

  • 现有数量0现货
  • 价格1 : ¥3.50000剪切带(CT)4,000 : ¥1.24080卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q100, TrenchMOS?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)55 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)5.5A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)150 毫欧 @ 5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)-
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)230 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)8W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-223
  • 封装/外壳TO-261-4,TO-261AA