电容值：10 μF
　　额定电压：10 V
　　介质材料：X5R
　　容差：±20%
　　封装尺寸：1210（3.2 mm x 2.5 mm）
　　温度范围：-55°C ~ +85°C
　　损耗角正切（Tanδ）：最大 0.025
　　绝缘电阻：最小 1000 MΩ
　　工作温度范围：-55°C ~ +85°C

TMFLM1A106MTRF 是一款高性能的多层陶瓷电容器，具备多项优异特性。首先，其采用 X5R 介质材料，能够在 -55°C 至 +85°C 的宽温度范围内保持稳定的电容性能，温度漂移较小（±15%以内），适用于对温度稳定性要求较高的电路设计。
　　其次，该电容的额定电压为 10V，虽然相对较低，但在许多低压电路中已经足够使用，尤其是在数字电路和电源管理电路中，用于去耦和滤波效果显著。10 μF 的电容值在小型化设计中提供了较高的电容密度，能够在有限的 PCB 空间中实现良好的滤波和储能功能。
　　此外，该器件采用标准的 SMD（表面贴装）封装形式，封装尺寸为 1210（3.2 mm x 2.5 mm），便于自动化生产和高密度 PCB 布局。其容差为 ±20%，适用于对电容精度要求不是特别严格的场合。
　　在电气性能方面，TMFLM1A106MTRF 的损耗角正切（Tanδ）最大为 0.025，意味着其在高频工作时具有较低的能量损耗，适合用于中高频滤波电路。同时，其绝缘电阻最小为 1000 MΩ，保证了良好的隔离性能和长期稳定性。
　　由于其优异的温度稳定性和高可靠性，TMFLM1A106MTRF 被广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备、汽车电子等多个领域，特别是在需要稳定性能和高可靠性的环境中。

TMFLM1A106MTRF 多层陶瓷电容器广泛应用于多种电子设备中，主要用于去耦、滤波、旁路和储能等功能。在数字电路中，该电容可用于电源去耦，有效抑制高频噪声，提高系统的稳定性。在电源管理电路中，可用于输入输出滤波，平滑电压波动，提升电源效率。此外，该器件也适用于射频和中高频电路中的耦合和旁路应用，提供良好的信号完整性。由于其良好的温度稳定性和高可靠性，TMFLM1A106MTRF 也常用于汽车电子系统、工业控制设备和通信模块中。

TDK C3216X5R1E106M160AC, Murata GRM31CR51A106MA12L, Kemet C1210C106M1RACTU