时间：2025/9/14 12:20:24
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BUK764R0-75C,118 是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的高性能N沟道增强型MOSFET功率晶体管。该器件设计用于高效率、高频率的电源转换系统，适用于汽车电子、工业电源、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等应用。该MOSFET具有低导通电阻、高电流承载能力和优良的热性能，能够在高温环境下稳定工作。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏极电流（ID）：220A（Tc=25℃）
最大漏源电压（VDS）：75V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为1.6mΩ（VGS=10V）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-263 (D2PAK)
安装类型：表面贴装
BUK764R0-75C,118具备多项优越特性，首先其极低的导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了整体系统效率。其次，该器件采用了先进的TrenchMOS技术，提供了更高的功率密度和优异的开关性能，适用于高频开关应用。此外，其坚固的封装结构（TO-263）有助于提高散热效率，确保在高功率条件下的稳定性与可靠性。该MOSFET还具备良好的雪崩能量耐受能力，能够在极端条件下提供额外的安全保障。其宽泛的工作温度范围（-55°C至+175°C）也使其适用于严苛环境下的应用，例如汽车动力系统和工业自动化设备。
在驱动特性方面，BUK764R0-75C,118具有较低的栅极电荷（Qg），有利于减少开关损耗并提高响应速度，从而在电源转换器中实现更高的效率。同时，其栅极驱动电压范围较宽（通常为4.5V至20V），允许使用标准逻辑电平进行驱动，简化了控制电路设计。此外，该器件具备良好的短路耐受能力，在特定条件下可承受短时间的过载或短路事件，从而提升系统的整体安全性。
BUK764R0-75C,118广泛应用于多个高性能电源管理系统中，特别是在需要高效、高电流承载能力的场合。常见的应用包括汽车电子中的电机驱动、电池管理系统、DC-DC转换器以及车载充电系统；工业自动化领域的电源模块、伺服驱动器和UPS不间断电源系统；此外，该器件还可用于电源开关、负载切换以及高功率LED驱动电路等场合。由于其优异的导通性能和热稳定性，该MOSFET在电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）的电能管理系统中也具有广泛的应用潜力。
IPB075N15N3GKSA1, FDP220N75F2, SCT3080KEC
