H5TQ2G43BFR-H9C 是由SK Hynix(海力士)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于高密度、高性能存储器产品线的一部分。该芯片采用BGA(球栅阵列)封装技术,具备较高的存储容量和数据访问速度,广泛适用于需要快速数据处理的应用场景,如嵌入式系统、工业控制设备、网络设备和消费电子产品。
容量:2Gbit(256MB)
组织结构:x16
电压:1.8V
时钟频率:166MHz
数据速率:333Mbps
封装类型:FBGA
引脚数:54pin
工作温度:-40°C ~ +85°C
H5TQ2G43BFR-H9C 的核心特性之一是其高性能的存储访问能力,能够在高速时钟频率下稳定运行,支持快速的数据读写操作。其x16的组织结构提供了更宽的数据总线,从而提高了整体的数据吞吐量。该芯片采用1.8V的低电压供电,相较于传统DRAM芯片具有更低的功耗表现,适合对功耗敏感的应用场景。
此外,H5TQ2G43BFR-H9C 采用了先进的制造工艺,确保了其在高负载工作环境下的稳定性和可靠性。其工作温度范围为-40°C至+85°C,适应各种严苛的工作条件,使其能够广泛应用于工业控制、汽车电子和通信设备等对环境要求较高的领域。
封装方面,H5TQ2G43BFR-H9C 使用54引脚的FBGA封装形式,不仅节省了PCB空间,还提高了封装的机械稳定性和热传导性能,适合高密度电路板设计。
H5TQ2G43BFR-H9C 通常用于需要大容量高速缓存或临时存储的场合。在嵌入式系统中,该芯片可作为主存或图形缓存,提升系统的响应速度和图像处理能力。在工业自动化和控制系统中,它可以用于存储运行时的数据和临时变量,确保系统运行的稳定性。
在通信设备中,如路由器、交换机和基站模块,H5TQ2G43BFR-H9C 可以作为数据缓冲器,帮助设备高效处理大量网络流量。此外,在消费类电子产品中,如智能电视、机顶盒和高端游戏设备中,该芯片也常用于提升系统性能和用户体验。
由于其宽温工作范围,该芯片也非常适合用于汽车电子系统,如车载信息娱乐系统(IVI)、高级驾驶辅助系统(ADAS)等,确保在各种环境条件下都能稳定运行。
H5TQ2G43AFR-H9C, H5PS2G43EFR-UHC, H5PS2G43DFR-UHC